2.1真空热蒸发镀膜技术 2.1.1 真空热蒸发镀膜的原理 2.1.2 真空热蒸发镀膜的方式及特点
2.1 真空热蒸发镀膜技术 2.1.1 真空热蒸发镀膜的原理 2.1.2 真空热蒸发镀膜的方式及特点
2.1.1真空蒸发镀膜原理 1.粒子平均自由程的概念 koT 2dP dpar为粒子的直径 P:压强 T:温度 粒子在真空室中可呈直线飞行
2.1.1 真空蒸发镀膜原理 粒子在真空室中可呈直线飞行 dpar为粒子的直径 P：压强 T：温度 - B 2 par = 2 k T d P 1. 粒子平均自由程的概念
2.真空蒸发镀膜的三种基本过程： 基片 真空罩 蒸发物质 (1)热蒸发过程 坩埚 是由凝聚相转变为气相的相变过程一一饱： (蒸发源) 气压；一定的T,气-固两相平衡时的气压 真空泵 (2)气化原子或分子在蒸发源与基片之间的输运 飞行过程中与真空室内残余气体分子发生碰撞 的次数一一平均自由程 (3)蒸发原子或分子在基片表面上的淀积过程
(1)热蒸发过程 是由凝聚相转变为气相的相变过程——饱和蒸 气压；一定的T，气-固两相平衡时的气压 (2)气化原子或分子在蒸发源与基片之间的输运 飞行过程中与真空室内残余气体分子发生碰撞 的次数——平均自由程 (3)蒸发原子或分子在基片表面上的淀积过程 2. 真空蒸发镀膜的三种基本过程：
3.热蒸发薄膜的厚度分布 点蒸发源 通常将能够从各个方向蒸发等量材料的微小球状蒸发源称为 点蒸发源（简称点源） dS2(接收面元) 点源 t是在基板平面内所能得到的最大厚度。 膜厚分布状况可用下式表示 等膜厚面 tt,=1/1+(x/h)2%
3. 热蒸发薄膜的厚度分布 • 点蒸发源 – 通常将能够从各个方向蒸发等量材料的微小球状蒸发源称为 点蒸发源（简称点源） t/t0 = 1 / [1+（x/h）2 ] 3/2 t0是在基板平面内所能得到的最大厚度。 膜厚分布状况可用下式表示 x (接收面元) 点源
微小平面蒸发源：这种蒸发源的发射特性具有方向性，使在0角方向蒸发的 材料质量和cos0成正比例，即遵从所谓余弦角度分布规律 h 等膜厚面 dS, 膜厚分布状况 t/to=1/1+(/h)2 面源 X
• 微小平面蒸发源：这种蒸发源的发射特性具有方向性，使在θ角方向蒸发的 材料质量和cosθ成正比例，即遵从所谓余弦角度分布规律 t / t0=1 / [1+(x/h)2 ] 2 膜厚分布状况 等膜厚面 x 面源