5场效应管放大电路(MOS)场效应管5.1金属-氧化物-半导体5.2MOSFET放大电路5.3(JFET)结型场效应管砷化金属-半导体场效应管*5.45.5各种放大器件电路性能比较HOME
5.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管 5.3 结型场效应管（JFET） *5.4 砷化镓金属-半导体场效应管 5.5 各种放大器件电路性能比较 5.2 MOSFET放大电路
场效应管的分类N沟道增强型P沟道MOSFET(IGFET)N沟道耗尽型绝缘栅型FETP沟道场效应管N沟道JFET（耗尽型）结型P沟道耗尽型：场效应管没有加偏置电压时，就有导电沟道存在增强型：场效应管没有加偏置电压时，没有导电沟道HOME
P沟道 耗尽型 P沟道 P沟道 N沟道 增强型 N沟道 N沟道 （耗尽型） FET 场效应管 JFET 结型 MOSFET 绝缘栅型 (IGFET) 耗尽型：场效应管没有加偏置电压时，就有导电沟道存在 增强型：场效应管没有加偏置电压时，没有导电沟道 场效应管的分类：
5.1金属-氧化物-半导体(MOS)场效应管5.1.1N沟道增强型MOSFET5.1.2N沟道耗尽型MOSFETP沟道MOSFET5.1.3沟道长度调制效应5.1.45.1.5MOSFET的主要参数HOME
5.1 金属-氧化物-半导体 （MOS）场效应管 5.1.1 N沟道增强型MOSFET 5.1.5 MOSFET的主要参数 5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 5.1.3 P沟道MOSFET 5.1.4 沟道长度调制效应
5.1.1N沟道增强型MOSFET1.结构（N沟道）L：沟道长度W：沟道宽度tox：绝缘层厚度通常 W>L绝缘体二氧化硅绝缘层沟道栅极g(SiO,)铝电极(AD)NP型衬底源极sW漏极dHOME
5.1.1 N沟道增强型MOSFET 1. 结构（N沟道） L ：沟道长度 W ：沟道宽度 tox ：绝缘层厚度 通常 W > L
5.1.1N沟道增强型MOSFET1.结构（N沟道）栅极g源极s漏极d铝铝铝sio,绝缘层do衬底6ODOB耗尽层P型硅衬底sdB衬底引线符号剖面图HOME
5.1.1 N沟道增强型MOSFET 剖面图 1. 结构（N沟道） 符号