5.1.1N沟道增强型MOSFETip=o2. 工作原理S铝ol（1）UGs对沟道的控制作用二氧化硅、M当Ucs≤0时NN无导电沟道，d、s间加电压时，也耗尽层无电流产生。P当0<UGs<V时B衬底引线产生电场，但未形成导电沟道（感生沟VGG二道），d、s间加电压后，没有电流产生。s北R9d当UGs >V时在电场作用下产生导电沟道，d、s间N加电压后，将有电流产生。耗尽层N型(感生)沟道Ucs越大，导电沟道越厚PV称为开启电压B衬底引线HOME
5.1.1 N沟道增强型MOSFET 2. 工作原理 （1）vGS对沟道的控制作用 当vGS≤0时 无导电沟道， d、s间加电压时，也 无电流产生。 当0<vGS <VT 时 产生电场，但未形成导电沟道（感生沟 道），d、s间加电压后，没有电流产生。 当vGS >VT 时 在电场作用下产生导电沟道，d、s间 加电压后，将有电流产生。 vGS越大，导电沟道越厚
2.工作原理VDD（2）Ups对沟道的控制作用.D迅速增大VGG当Ucs一定（Ucs >V）时，sgUps个→I,个→沟道电位梯度个d→靠近漏极d处的电位升高>电场强度减小→沟道变薄N整个沟道呈楔形分布N型(感生)沟道PB衬底引线HOME
2. 工作原理 （2）vDS对沟道的控制作用 靠近漏极d处的电位升高 电场强度减小 沟道变薄 当vGS一定（vGS >VT ）时， vDS ID 沟道电位梯度 整个沟道呈楔形分布
2.工作原理VDD（2）Ups对沟道的控制作用iD当Ucs一定（Ucs >V）时，饱VGGSUps个→I,个→沟道电位梯度个和gd当Ups增加到使U=V时，zxz在紧靠漏极处出现预夹断。N在预夹断处：UGp=Ucs-Ups =VI夹断区P。B衬底引线HOME
当vGS一定（vGS >VT ）时， vDS ID 沟道电位梯度 当vDS增加到使vGD=VT 时， 在紧靠漏极处出现预夹断。 2. 工作原理 （2）vDS对沟道的控制作用 在预夹断处：vGD=vGS-vDS =VT
2.工作原理VDD（2）Ups对沟道的控制作用iD预夹断后，Ups个→夹断区延长VGG饱s-和→沟道电阻个→基本不变60diD可变饱和区一电阻区UDS≤VGS-VIUDS≥VGS-VTBNNA预夹断点OGs=Gs>VT夹断区PoB衬底引线UGS<IT截止区UDSHOME
预夹断后，vDS 夹断区延长 沟道电阻 ID基本不变 2. 工作原理 （2）vDS对沟道的控制作用
2.工作原理VDD(3)Ups和UGs同时作用时iDUps一定，UGs变化时VGG饱sH和g给定一个UGs，就有一条不d同的 i － Ups 曲线。A预夹断临界点轨迹NNip/mAUDS=UGS—VT(或UGD=UGS—UDS=V)hA7V可变电阻区8-夹断区饱和区6VP6B5V。B衬底引线c44VD!UGS=3V2E!截止区0UDs/V5151020HOME
2. 工作原理 （3） vDS和vGS同时作用时 vDS一定，vGS变化时 给定一个vGS ，就有一条不 同的 iD – vDS 曲线