影响条件电位的因素6.1.3离子强度的影响0.059YoaRE°=E+O+ne=RlgnYRQo若无副反应发生，0.059YCE°=E°+lgnYR条件电位与标准电位的差异仅仅是由离子强度（I）引起时，E决定于氧化态、还原态的电荷数Ig Y; = -0.5Z, VIYi例o时，Fe3t/Fe2+
6.1.3 影响条件电位的因素 1、离子强度的影响 O + ne = R R O O R n E E lg ' 0.059 = + 若无副反应发生， R O n E E lg ' 0.059 = + 条件电位与标准电位的差异仅仅是由离子强度( I )引起。 I 时， 决定于氧化态、还原态的电荷数 Z I i i 2 lg = −0.5 Zi i 例 ？？ ' E I 时， 3+ 2+ Fe / Fe ' E
例E°(Fe(CN)- / Fe(CN)时，Fe(CN)3-/Fe(CN)4-电对在不同离子强度下的条件电位如下：一1.60.01280.1120.00064OE0.36190.38140.40940.4584E°=0.355V注意：通常忽略离子强度的影响
例 (Fe(CN) / Fe(CN) ) 4 6 3 6 − − E Fe(CN)6 3- /Fe(CN)6 4-电对在不同离子强度下的条件电位如下： I 0.00064 0.0128 0.112 1.6 E°´ 0.3619 0.3814 0.4094 0.4584 E° = 0.355 v I 时， 注意：通常忽略离子强度的影响
(2)影响条件电位的因素6.1.32、若有副反应发生时QR0.059E°=E°lg十don沉淀形成的影响条件电位与标准电位的差异络合物形成的影响主要是由副反应决定，离子酸度的影响强度的影响可不考虑。例题
6.1.3 影响条件电位的因素（2） 2、若有副反应发生时 O ' R lg 0.059 n E = E + 条件电位与标准电位的差异 主要是由副反应决定，离子 强度的影响可不考虑。 沉淀形成的影响 络合物形成的影响 酸度的影响 例题
氧化型生成沉淀，电位降低沉淀生成的影响还原型生成沉淀，电位升高设加入X，生成XR?.O无副反应，+ne=RE个[RI ↓,[R][X] = Ksp?RXXRX[O]Co[X]0.0590.059E =E°+Eo.lglg[R]Knnsp,RX[X]0.059± 0.059=E°+Ig CoIgKnnsp,RX[X]0.059E°'=E°当Co=1mol/L，Ig例题Knsp,RX
沉淀生成的影响 O + ne = R [ ] [ ] lg 0.059 R O n E = E + X RX [R][X] = Ksp,RX [R] , E 设加入X, 生成 XR, O无副反应， sp R X O K C X n E , [ ] lg 0.059 = + O sp R X C K n X n E lg [ ] 0.059 lg 0.059 , = + + 当 Co = 1 mol /L, Ksp R X X n E E , ' [ ] lg 0.059 = + 例题 氧化型生成沉淀，电位降低 还原型生成沉淀，电位升高
例题已知 Cu2+ +e = Cu+E(Cu()/Cu()) = 0.17 vKsp:Cul = 2 × 10-12求Ck=1mol / L时的Cu(I)/Cu()电对的条件电位[X]0.059E°=E°+E°=0.86vgKnsp,RX0.059QRoOEgnyα% =1[X] [X]αr =1 + β[X] =1 +KKsp,RXsp.RX
例题 已知 Cu2+ + e = Cu+ E° （Cu(II)/Cu(I)）= 0.17 v Ksp,CuI = 2 10-12 求 CKI = 1mol / L时的 Cu(II)/Cu(I)电对的条件电位 ， ' = 0.86v E Ksp R X X n E E , ' [ ] lg 0.059 = + O R n E E lg 0.059 1 ' = + O =1 1 [X] R = + 1 [X] 1 Ksp,RX [X] 1 1 Ksp,RX = +