§2绝缘栅型场效应管 由金属、氧化物和半导体制成，称为金属氧化物-半 导体场效应管，或简称MOS场效应管。其栅极被绝缘层 隔离，故称为绝缘栅型场效应管。 特点：输入电阻可达109Ω以上 增强型 〔N沟道 耗尽型 按导电沟道分类 增强型 P沟道 耗尽型 4cs=0时漏源间存在导电沟道称耗尽型场效应管； 4cs=0时漏源间不存在导电沟道称增强型场效应管
由金属、氧化物和半导体制成，称为金属-氧化物-半 导体场效应管，或简称 MOS 场效应管。其栅极被绝缘层 隔离，故称为绝缘栅型场效应管。 特点：输入电阻可达 109 以上。 按导电沟道分类 N 沟道 P 沟道 增强型 耗尽型 增强型 耗尽型 uGS = 0 时漏源间存在导电沟道称耗尽型场效应管； uGS = 0 时漏源间不存在导电沟道称增强型场效应管。 §2 绝缘栅型场效应管
一、 N沟道增强型场效应管(NE.MOS) 1.结构 栅极G 漏极D 源极S So OD 符号 铝 N+ 9 P型衬底 OB 衬底引线B 一般将衬底与源极在管子内部连接在一起。 绝缘栅场效应管利用ucs来控制“感应电荷”的多少， 改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，以控 制漏极电流D
P 型衬底 N+ N+ B S SiO G D 源极 S 2 漏极 D 衬底引线 B 栅极 G 一、N沟道增强型场效应管（N.E.MOS） 1.结构 符号 s g d B 一般将衬底与源极在管子内部连接在一起。 铝 绝缘栅场效应管利用uGS来控制“感应电荷”的多少， 改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，以控 制漏极电流 iD
一、N沟道增强型场效应管(N.E.MOS) 2.工作原理 ① uGs=0 N+ 漏源和源极的两个N区之间 是P型衬底，因此D、S之间相当 P型衬底 于两个背靠背的PN结。 B B 无论漏源之间加何种极性电压，总是不导电
2.工作原理 ① uGS=0 漏源和源极的两个N区之间 是P型衬底，因此D、S之间相当 于两个背靠背的 PN结。 S B D 无论漏源之间加何种极性电压，总是不导电。 一、N沟道增强型场效应管（N.E.MOS） P 型衬底 N+ N+ B S g d
一、 N沟道增强型场效应管(N.E.MOS) 2.工作原理 ②uns=0,0<uGs<Ucsh P型衬底中的电子被吸引靠近 S02与空穴复合，产生由负离子组 成的耗尽层。增大uGs,耗尽层变宽。 型沟道 P型衬底 ③ups=0,uGs≥UGS(th) 由于吸引了足够多的电子， B 会在耗尽层和S0,之间形成可移动的表面电荷层 反型层、N型导电沟道。ucs升高，N沟道变宽。因为uDs=O 所以总有0=0。 Ucs为开始形成反型层所需的山cs,称开启电压
② uDS = 0，0 < uGS < UGS(th) P 型衬底 N+ N+ B S g d P型衬底中的电子被吸引靠近 SiO2与空穴复合，产生由负离子组 成的耗尽层。增大uGS ，耗尽层变宽。 EG − − − − − − ③uDS = 0，uGS ≥ UGS(th) 由于吸引了足够多的电子， 会在耗尽层和 SiO2之间形成可移动的表面电荷层 —— N 型沟道 反型层、N型导电沟道。uGS升高，N沟道变宽。因为uDS = 0 ， 所以总有 iD = 0。 UGS(th)为开始形成反型层所需的 uGS，称开启电压。 一、N沟道增强型场效应管（N.E.MOS） 2.工作原理