§5.2基本结构的版图 pSelect 制L nWell pFET掩模 W Active po士 Poly Figure 5.10 pFET mask set pFET=(pSelect)n(Active)n(Poly)n(nWell) p+=(pSelect)n(Active)n(nWell)n(NOT[Poly]) 2018-9-5 第5章物理设计的基本要素 §5.2基本结构的版图 MOSFET的设计值及有效值 Drawn L← 有效沟道长度： L0=L-2L0 Active L =L-△L Lo Poly Lo Drawn n+ Lo W Leff p-substrat 有效沟道宽度： W面=W-△W Poly (a)Drawn layout (b)Finished view Figure 5.11 Drawn and effective dimensions of a MOSFET 2018-9-5 第5章物理设计的基本要素 12
2018-9-5 第5章 物理设计的基本要素 11 §5.2 基本结构的版图 pFET=(pSelect)∩(Active) ∩(Poly) ∩(nWell) p+=(pSelect)∩(Active) ∩(nWell) ∩(NOT[Poly]) pFET掩模 2018-9-5 第5章 物理设计的基本要素 12 §5.2 基本结构的版图 MOSFET的设计值及有效值 L L Leff L L = − Δ = − 2 0 有效沟道长度： Weff = W − ΔW 有效沟道宽度：
§5.2基本结构的版图 §5.2.5有源区接触 Active contact Select Active Ox1 Active Contact n+ p+ p n-well Sa-ac dac.h (a)Cross-section (b)General mask set Figure 5.12 Active contact formation saa=有源区和有源区接触之间的最小间距 dc,一接触垂直方向的尺寸 dach=接触水平方向的尺寸 2018-9-5 第5章物理设计的基本要素 3 §5.2基本结构的版图 §5.2.6金属层1 Metal1与有源区接触 Select Sml-ac Metall wml p Active Metall (a)Cross-section (b)General mask set Figure 5.13 Metall line with Active Contact wml=Metal1线的最小宽度 sml-nI=Metal1和Metal1之间的最小间距 sml.ac-Metal1至有源区接触的最小间距 2018-9-5 第5章物理设计的基本要素 14
2018-9-5 第5章 物理设计的基本要素 13 §5.2 基本结构的版图 §5.2.5 有源区接触 •sa-ac=有源区和有源区接触之间的最小间距 •dac,v=接触垂直方向的尺寸 •dac,h=接触水平方向的尺寸 2018-9-5 第5章 物理设计的基本要素 14 §5.2 基本结构的版图 §5.2.6 金属层1 •wm1=Metal 1线的最小宽度 •sm1-m1=Metal 1和Metal 1之间的最小间距 •sm1-ac=Metal 1至有源区接触的最小间距 Metal 1与有源区接触
§5.2基本结构的版图 采用多个接触来降低接触电阻 n+or p+ Metall Sac-m Sa-ac Sac-ac dac Figure 5.14 Multiple contacts to reduce contact resistance 为了减小接触电阻，通常采用设计规则允许的尽可能多 的接触 R R:接触电阻 2018-9-5 第5章物理设计的基本要素 15 §5.2基本结构的版图 Metal1与FET漏端和源端的连接 Metall Metall n+ Sa-p 图8整 Sp-ac (a)Cross-section (b)Layout Figure 5.15 Drain and source FET terminals using Metall ·Spa=从多晶至有源区接触的最小间距 ·sp从有源区至多晶的最小间距 2018-9-5 第5章物理设计的基本要素 16
2018-9-5 第5章 物理设计的基本要素 15 §5.2 基本结构的版图 为了减小接触电阻，通常采用设计规则允许的尽可能多 的接触 c eff Rc Rc ：接触电阻 N R 1 , = 采用多个接触来降低接触电阻 2018-9-5 第5章 物理设计的基本要素 16 §5.2 基本结构的版图 •sp-ac=从多晶至有源区接触的最小间距 •sa-p=从有源区至多晶的最小间距 Metal 1与FET漏端和源端的连接
§5.2基本结构的版图 Metal1与多晶接触 Sm-pc Poly Metall Contact Poly Sm-m 不 p-substrate Cross over (a)Cross-section (b)Layout Figure 5.16 Poly Contact dp=多晶接触的尺寸 sm-m=Metal1和Metal1之间的最小间距 sm-pe-Metal1至多晶接触的最小间距 2018-9-5 第5章物理设计的基本要素 §5.2基本结构的版图 串联的FET Sp-p (a)Cross-section (b)Layout Figure 5.17 Series-connected FETs Sp多晶至多晶的最小间距 2018-9-5 第5章物理设计的基本要素 18
2018-9-5 第5章 物理设计的基本要素 17 §5.2 基本结构的版图 Metal 1与多晶接触 •dpc=多晶接触的尺寸 •sm-m=Metal 1和Metal 1之间的最小间距 •sm-pc=Metal 1至多晶接触的最小间距 2018-9-5 第5章 物理设计的基本要素 18 §5.2 基本结构的版图 •sp-p=多晶至多晶的最小间距 串联的FET