3.2.2二极管与门 +5V 4|B 0|0 输入变量 0 A Y000 l|0 3V 输出变量 OV B A+& DE 0.7V) B
Y D1 D2 A B +5V A B Y 0V 0V 0.7V 0V 3V 0.7V 3V 0V 0.7V 3V 3V 3.7V 输入变量 输出变量 ( uDF=0.7V ) 0 0 0 0 1 0 1 0 0 1 1 1 A & B Y 3.2.2 二极管与门 0V 3V
323二极管或门 AB Y 00 0 B D2 0 0 1-1=1 R OV (aD=0.7V) B
A B Y 0V 0V 0V 0V 3V 2.3V 3V 0V 2.3V 3V 3V 2.3V 0 0 0 0 1 1 1 0 1 1 1 1 A B Y 3.2.3 二极管或门 Y D1 D2 A B R 0V 3V ( uDF=0.7V )
§33CMOS门电路 CMOS集成电路中,以金属氧化物半导体场 效应晶体管(MOS场效应管)作为开关器件。 331MOS管的开关特性 1、MOS场效应管的类型及特性 增强型: N沟道增强型MOS管 P沟道增强型MOS管 耗尽型: N沟道耗尽型MOs管 P沟道耗尽型MOS管
1、MOS场效应管的类型及特性 N沟道增强型MOS管 P沟道增强型MOS管 N沟道耗尽型MOS管 P沟道耗尽型MOS管 增强型： 耗尽型： √ 3.3.1 MOS管的开关特性 §3.3 CMOS门电路 CMOS集成电路中，以金属-氧化物-半导体场 效应晶体管（ MOS场效应管）作为开关器件
SiO, G B P型衬底(B) 图3.31N沟道增强型MOS管的结构和符号 G:栅极D:漏极S:源极
图3.3.1 N沟道增强型MOS管的结构和符号 G:栅极 D:漏极 S:源极
2可变电 阻区 5V 恒流区 UDS + 4V UGS 3V UGS=2V UDS 截止区 (a) 图3.3,2N沟导MOS管共源接法及其输出特性曲线 (a共源接法(b)输出特性曲线
图3.3.2 N沟导 MOS管共源接法及其输出特性曲线 (a)共源接法 (b)输出特性曲线 可变电 阻区 恒流区 截止区