ZD 可以通过改变 GS 控制i的大 GS(th) UGS 图333NMOS管的转移特性曲线
图3.3.3 NMOS管的转移特性曲线 可以通过改变 vGS控制iD的大 小
Ucs>Ur>0 导通 (开启电压)(几百欧 断开 UGS UT D-×→S RD +VDD R S G N+ P(B) S 图334NMOS管的基本开关电路
图3.3.4 NMOS管的基本开关电路 UGS > UT > 0 (开启电压） D S 导通 （几百欧） UGS < UT D S 断开
二二二“ G R ON S S a 图33.5MOs管的开关等效电路 (a)截止状态(b)导通状态 Ucs越大,Ro越小
图3.3.5 MOS管的开关等效电路 (a)截止状态 (b)导通状态 UGS越大，RON越小
十vcs G N型衬底(B) S 图3.3.6P沟道增强型MOS管
图3.3.6 P沟道增强型MOS管
ZD 2V O UDs 3V ℃lDs + UGS GS 5V 图3.3.7P沟道增强型MOs管的漏极特性
图3.3.7 P沟道增强型MOS管的漏极特性