数字电路的发展 数字集成电路按集成度分为;sSI、MSl、LSl、VSl US等五类。 集成度是指每一芯片所包含的三极管的个数。 集成度规格三极管数/片 典型应用 小规模 100以下 门电路 中规模「100几千个 计数器 大规模 104~105 各种专用芯片 超大规模 105~106 存储器 甚大规模10以上可编程逻辑器件
数字电路的发展 集成度规格 三极管数/片 典型应用 小规模 100以下 门电路 中规模 100~几千个 计数器 大规模 104~105 各种专用芯片 超大规模 105~106 存储器 甚大规模 106以上 可编程逻辑器件 数字集成电路按集成度分为：SSI、MSI、LSI、VSI、 USI等五类。 集成度是指每一芯片所包含的三极管的个数
数字集成电路按制造工艺分为:双极型、 单极型和混合型IC。 双极型IC:直到20世纪80年代初一直是主流IC 缺点:功耗大。 CMOS IO:出现于20世纪60年代后期,当前的主 流IC。 优点:功耗极低
数字集成电路按制造工艺分为：双极型、 单极型和混合型IC。 双极型IC：直到20世纪80年代初一直是主流IC。 缺点：功耗大。 CMOS IC：出现于20世纪60年代后期，当前的主 流IC。 优点：功耗极低
§3.2半导体二极管门电路 321半导体二极管的开关特性 半导体二极管相当于一个受外加电压极性控 制的开关。 CC R D oO 图3.2.1二极管开关电路图3.22二极管的伏安特性
反向截止： 正向导通： 开关接通 开关断开 §3.2 半导体二极管门电路 图3.2.1 二极管开关电路 半导体二极管相当于一个受外加电压极性控 制的开关。 图3.2.2 二极管的伏安特性 3.2.1 半导体二极管的开关特性
CC 正向导通压降和正 正向导通压降和 向电阻不能忽略 仅忽略正向电阻正向电阻都忽略 △ △v N (a) (c) 图323二极管伏安特性的几种近似方法
图3.2.3 二极管伏安特性的几种近似方法 正向导通压降和正 向电阻不能忽略 仅忽略正向电阻 正向导通压降和 正向电阻都忽略 √
半导体二极管的动态工作情况: (1)二极管外加电压由反 向变正向时,正向导通电 流的建立稍微滞后一点 (2)二极管外加电压由正 向变反向时,产生较大的 瞬态反向电流,并持续 定的时间∶t在纳秒数量级 反向恢复时间te: 图3.24二极管的动态电流浪形 反向电流从峰值衰 减到峰值的十分之 所经过的时间 二极管产生反向恢复过程的原因是:电荷存储效应
图3.2.4 二极管的动态电流波形 半导体二极管的动态工作情况: (1)二极管外加电压由反 向变正向时，正向导通电 流的建立稍微滞后一点； (2)二极管外加电压由正 向变反向时，产生较大的 瞬态反向电流，并持续一 定的时间； 反向恢复时间tre ： 反向电流从峰值衰 减到峰值的十分之 一所经过的时间 二极管产生反向恢复过程的原因是：电荷存储效应。 tre在纳秒数量级