§5-4 沉淀的纯度 一.共沉淀 本身不能单独析出沉淀的物质能随同另一种 沉淀析出的现象 1.表面吸附共沉淀 ⊕ 表面有剩余电荷，吸附 ⊕ ⊕ e 构晶离子，形成初级吸附 ⊕ 层，再吸附相反电荷离子 ⊕ ⊕ (称抗衡离子)，形成次级 X 吸附层，组成了双电层。 初级吸附层 次级吸附层
1. 表面吸附共沉淀 初级吸附层 次级吸附层 §5-4 沉淀的纯度 一 . 共沉淀 本身不能单独析出沉淀的物质能随同另一种 沉淀析出的现象 表面有剩余电荷，吸附 构晶离子，形成初级吸附 层，再吸附相反电荷离子 （称抗衡离子），形成次级 吸附层，组成了双电层
抗衡离子： 与构晶离子形成溶解度、离解度最小的化合物 离子浓度越大，越易被吸附 离子电荷高的优先吸附 影响因素： 颗粒小，比表面积大，吸附杂质多 吸附是放热过程，温度升高，吸附杂质量减小 防止： 洗涤（电解质水，易挥发的沉淀剂）
影响因素： Ø 颗粒小，比表面积大，吸附杂质多 Ø 吸附是放热过程，温度升高，吸附杂质量减小 防止： 洗涤（电解质水，易挥发的沉淀剂） 抗衡离子： • 与构晶离子形成 溶解度、离解度最小的化合物 • 离子浓度越大，越易被吸附 • 离子电荷高的优先吸附
2.吸留或包藏 表面吸附的抗衡离子在沉淀生长时被覆盖包藏 在里面不能洗去，陈化可减小，严重时，需重新 沉淀。 3.混晶 与构晶离子半径相近、形成的晶体结构相似的 离子代替构晶离子形成混晶，不能洗去，应在沉 淀前分离。 BaSO4与PbSO4;BaSO4与KMnO
2. 吸留或包藏 表面吸附的抗衡离子在沉淀生长时被覆盖包藏 在里面不能洗去，陈化可减小，严重时，需重新 沉淀。 3. 混晶 与构晶离子半径相近、形成的晶体结构相似的 离子代替构晶离子形成混晶，不能洗去，应在沉 淀前分离。 BaSO4 与PbSO4 ; BaSO4 与 KMnO4
二 后沉淀 某组分析出沉淀后，另一种难于析出沉淀的物 质在沉淀表面上析出沉淀的现象。 0.01 mol/L Zn2+在0.15mol/LHC中通H,S不 沉淀，如果有Cu+存在，在CuS沉淀后放置，则 表面上有白色ZnS析出。 三.沉淀沾污对分析结果的影响 测Ba2+包藏了BaCL2-； 吸附 H2SO ，无 S02 BaCl + HSO
0.01mol/L Zn2+在 0.15mol/L HCl 中通H2S 不 沉淀 , 如果有Cu2+ 存在，在CuS沉淀后放置，则 表面上有白色 ZnS析出。 二. 后沉淀 某组分析出沉淀后，另一种难于析出沉淀的物 质在沉淀表面上析出沉淀的现象。 SO42- BaCl2 + ； H2SO4 – 三. 沉淀沾污对分析结果的影响 测 Ba 2+ 包藏了 BaCl2 – ； 吸附 H2SO4 无
四.沉淀的洗涤 用什么洗是关键 H,0是最简单的，但易发生胶溶，不常用； 常用电解质水，NHNO3,NH,CI,稀沉淀剂 对洗涤液的要求： 从不与沉淀反应 例： 不与母液中任何 CaC2Oa 0.1%NH)2C204 成分生成沉淀 AgCI 0.01 mol/L HNO3 灼烧时易除去 Fe(OH)3 NHNO 后续分析中不干扰 BaSO 沉淀剂稀HSO4
用什么洗是关键 H2O是最简单的，但易发生胶溶，不常用 ; 常用电解质水，NH4NO3 ，NH4Cl ，稀沉淀剂 四. 沉淀的洗涤 a 不与 沉淀反应 a 不与母液中任何 成分生成沉淀 a 灼烧时易除去 a 后续分析中不干扰 对洗涤液的要求： 例： CaC2O4 0.1% (NH4)2C2O4 AgCl 0.01 mol/L HNO3 Fe(OH)3 NH4NO3 BaSO4 沉淀剂 稀H2SO4