1.3半控器件一晶闸管·引言 晶闸管( Thyristor):晶体闸流管,可控硅整流 器( Silicon Controlled rectifier——SCR) 1956年美国贝尔实验室发明了晶闸管 1957年美国通用电气公司开发出第一只晶闸管产品 01958年商业化。 e开辟了电力电子技术迅速发展和广泛应用的崭新时代 20世纪80年代以来,开始被全控型器件取代 能承受的电压和电流容量最高,工作可靠,在大容量 的场合具有重要地位。 它力电子术
电力电子技术 1-26 1.3 半控器件—晶闸管·引言 1956年美国贝尔实验室发明了晶闸管。 1957年美国通用电气公司开发出第一只晶闸管产品。 1958年商业化。 开辟了电力电子技术迅速发展和广泛应用的崭新时代。 20世纪80年代以来，开始被全控型器件取代。 能承受的电压和电流容量最高，工作可靠，在大容量 的场合具有重要地位。 晶闸管（Thyristor）：晶体闸流管，可控硅整流 器（Silicon Controlled Rectifier——SCR）
1.3.1晶闸管的结构与工作原理 K K K P N 鸟 b) 图1-6晶闸管的外形、结构和电气图形符号 a)外形b)结构c)电气图形符号 ●外形有螺栓型和平板型两种封装. ●有三个联接端 ●螺栓型封装,通常螺栓是其阳极,能与散热器紧密联接且 安装方便 平板型晶闸管可由两个散热器将其夹在中间 它力电子术
电力电子技术 1-27 图1-6 晶闸管的外形、结构和电气图形符号 a) 外形 b) 结构 c) 电气图形符号 1.3.1 晶闸管的结构与工作原理 外形有螺栓型和平板型两种封装。 有三个联接端。 螺栓型封装，通常螺栓是其阳极，能与散热器紧密联接且 安装方便。 平板型晶闸管可由两个散热器将其夹在中间
1.3.1晶闸管的结构与工作原理 用晶闸管的结构 合 螺栓型晶闸管 晶闸管模块 170mm 110mm 办158mm 平板型晶闸管外形及结构 它力电子术
电力电子技术 1-28 1.3.1 晶闸管的结构与工作原理 常用晶闸管的结构 螺栓型晶闸管 晶闸管模块 平板型晶闸管外形及结构
1.3.1晶闸管的结构与工作原理 ●按晶体管的工作原理,得: 1=Ml+lo CBOI A ,x+1 K CBO2 P PNP 1k=14+l R 4=la1+l2 NPN人Ny E E G 式中a1和a2分别是晶体管1和 K K V2的共基极电流增益;lcgo1和 cBo2分别是和V2的共基极漏 电流。由以上式可得: 图1-7晶闸管的双晶体管模型及其工作原理 l+l CBO 1 +l CBO2 a)双晶体管模型b)工作原理 1-(a1+c2) 它力电子术
电力电子技术 1-29 1.3.1 晶闸管的结构与工作原理 式中1和2分别是晶体管V1和 V2的共基极电流增益；ICBO1和 ICBO2分别是V1和V2的共基极漏 电流。由以上式可得： 图1-7 晶闸管的双晶体管模型及其工作原理 a) 双晶体管模型 b) 工作原理 按晶体管的工作原理 ，得： c A CBO 1 1 1 I I I = + c K CBO 2 2 2 I I I = + K A G I I I = + A c c 1 2 I I I = + 1 ( ) 1 2 2 G CBO1 CBO2 A − + + + = I I I I
1.3.1晶闸管的结构与工作原理 ●在低发射极电流下a是很小的,而当发射极电流建立 起来之后,&迅速增大 ●阻断状态:l=0,αx1+∝2很小。流过晶闸管的漏电流稍 大于两个晶体管漏电流之和 ●开通状态:注入触发电流使晶体管的发射极电流增大 以致a1+a趋近于1的话,流过晶闸管的电流/,将趋 近于无穷大,实现饱和导通。厶实际由外电路决定。 它力电子术
电力电子技术 1-30 1.3.1 晶闸管的结构与工作原理 在低发射极电流下 是很小的，而当发射极电流建立 起来之后， 迅速增大。 阻断状态：IG =0，1+2很小。流过晶闸管的漏电流稍 大于两个晶体管漏电流之和。 开通状态：注入触发电流使晶体管的发射极电流增大 以致1+2趋近于1的话，流过晶闸管的电流IA，将趋 近于无穷大，实现饱和导通。IA实际由外电路决定