1.2.3电力二极管的主要参数 5)最高工作结温TJM ●结温是指管芯PN结的平均温度,用7表示 ●TJM是指在PN结不致损坏的前提下所能承受的最高 平均温度。 ●不J通常在125-175c范围之内 6)浪涌电流lsM ●指电力二极管所能承受最大的连续一个或几个工频 周期的过电流 它力电子术 1-21
电力电子技术 1-21 结温是指管芯PN结的平均温度，用TJ表示。 TJM是指在PN结不致损坏的前提下所能承受的最高 平均温度。 TJM通常在125~175C范围之内。 6) 浪涌电流IFSM 指电力二极管所能承受最大的连续一个或几个工频 周期的过电流。 1.2.3 电力二极管的主要参数 5）最高工作结温TJM
1.2.4电力二极管的主要类型 按照正向压降、反向耐压、反向漏电流等性能 特别是反向恢复特性的不同介绍 1)普通二极管( General Purpose Diode) 又称整流二极管( Rectifier Diode) ●多用于开关频率不高(1kHz以下)的整流电路 其反向恢复时间较长 ●正向电流定额和反向电压定额可以达到很高 它力电子术
电力电子技术 1-22 1) 普通二极管（General Purpose Diode） 又称整流二极管（Rectifier Diode） 多用于开关频率不高（1kHz以下）的整流电路 其反向恢复时间较长 正向电流定额和反向电压定额可以达到很高 按照正向压降、反向耐压、反向漏电流等性能， 特别是反向恢复特性的不同介绍。 1.2.4 电力二极管的主要类型
1.2.4电力二极管的主要类型 2)快恢复二极管 Fast Recovery Diode--FRD) θ简称快速二极管 自快恢复外延二极管 ( Fast Recovery Epitaxial Diodes—FRED),其 tn更短(可低于50ns),U也很低(0.9V左右), 但其反向耐压多在1200V以下 从性能上可分为快速恢复和超快速恢复两个等级。 前者t为数百纳秒或更长,后者则在100ns以下, 甚至达到20~30ns 它力电子术
电力电子技术 1-23 简称快速二极管 快恢复外延二极管 （Fast Recovery Epitaxial Diodes——FRED），其 t rr更短（可低于50ns）， UF也很低（0.9V左右）， 但其反向耐压多在1200V以下。 从性能上可分为快速恢复和超快速恢复两个等级。 前者t rr为数百纳秒或更长，后者则在100ns以下， 甚至达到20~30ns。 1.2.4 电力二极管的主要类型 2) 快恢复二极管 （Fast Recovery Diode——FRD）
1.2.4电力二极管的主要类型 3.肖特基二极管 以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管称为肖 特基势垒二极管( Schottky Barrier Diode—SBD) ●肖特基二极管的弱点 反向耐压提高时正向压降会提高,多用于200V以下。 ◎反向稳态损耗不能忽略,必须严格地限制其工作温度 肖特基二极管的优点 反向恢复时间很短(10~40ns) 正向恢复过程中也不会有明显的电压过冲。 ◎反向耐压较低时其正向压降明显低于快恢复二极管。 效率高,其开关损耗和正向导通损耗都比快速二极管还小。 它力电子术 1-24
电力电子技术 1-24 肖特基二极管的弱点 反向耐压提高时正向压降会提高，多用于200V以下。 反向稳态损耗不能忽略，必须严格地限制其工作温度。 肖特基二极管的优点 反向恢复时间很短（10~40ns）。 正向恢复过程中也不会有明显的电压过冲。 反向耐压较低时其正向压降明显低于快恢复二极管。 效率高，其开关损耗和正向导通损耗都比快速二极管还小。 1.2.4 电力二极管的主要类型 3. 肖特基二极管 以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管称为肖 特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode ——SBD）
1.3半控器件一晶闸管 1.31晶闸管的结构与工作原理 1.32晶闸管的基本特性 133晶闸管的主要参数 1.34晶闸管的派生器件 它力电子术
电力电子技术 1-25 1.3 半控器件—晶闸管 1.3.1 晶闸管的结构与工作原理 1.3.2 晶闸管的基本特性 1.3.3 晶闸管的主要参数 1.3.4 晶闸管的派生器件