存储器读周期 (1) 个基本的存储器读周期由4个T状态组成，如图所示： CLK IO/M. 高=I0 A19-A16/S6-S3】 &19816 S6-S3 A15-A8 AD7-ADo 47A0 DA ALE RD DT/R DEN Ji Lin University China COMPUTER SCIENCE AND TECHNOLOGI
COMPUTER SCIENCE AND TECHNOLOGY COMPUTER SCIENCE AND TECHNOLOGY 存储器读周期（ 1 ）
8088最小模式存储器读周期(2) 高电平 低电平 一个总线周期 T2 READY B284A CLK M/n0 CLK READY A19/S6-A16/Se MO BHE/S7 H正地如 READY 能 BHE AD15-ADO 绝址筋出 数据物入 A19 A16 AD15-AD0 A0-9 ALE 8086 而 CPU 286 DT/R DTR DEN D0-D15 DEN Ji Lin University China COMPUTER SCIENCE山DY里CHNOLOGY
COMPUTER SCIENCE AND TECHNOLOGY COMPUTER SCIENCE AND TECHNOLOGY 8088最小模式存储器读周期（2）
存储器写周期(1) 它也由4个T状态组成，如图所示： CLK I0/M A19-A16/S6-S3 819A16 A15-A8 AD7-ADo 47A0 DATA IN ALE RD DT/R DEN Ji Lin University China
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8088最小模式存储器写周期(2) 上 高电平 低电平 个总线周期 0 T1 T2 READY 8284A CLK M/可 0-写I0 写存储器 CLK READY A19/S6-A16/S3 BHE/S7 BHE的址 S7 READY ALE 尼 TB BHE AD15-ADO 绝址翻西 数据输出 A19-A16 AD15-AD0 OE A0-A19 ALE 8086 丽 CPU DT/R DTR DEN D0-D15 DEN Ji Lin University China COMPUTER SCIENCE山DY里CHNOLOGY
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中断响应周期 高电平 低电平 一个总线周期 三个空闲周期 一个总线周期 8086 CPU CLK F=1 ALE INTA INTA INTR AD7-ADO 中断类型 Ji Lin University China COMPUTER SCIENCE AND TECHNOLOGY
COMPUTER SCIENCE AND TECHNOLOGY COMPUTER SCIENCE AND TECHNOLOGY 中断响应周期