voRIVTHR212V, = Vr+ =(1+THRR/, = Vr_ =(1THRCVTHVDDUtTS、vo6
6 I T VTH R R V V ( ) 2 1 = + = 1+ I T VTH R R V V ( ) 2 1 = − = 1−
10.2.2集成施密特触发器Vi=O时，T截止，T饱和导通，V=VoL双极型ICR4VE2 ~ (Vcc - VcEs2)R226年14起款R,+R4iR3当V个，至V-VE2+0.7V时，T导通，并引起iB2Vc1Vi个→ici-Veiic2T2JiclVc2VBIhVBEIT-VET1ic2UESR4.迅速转为T导通，T,截止=V=VoH4802R4Ve2 -Vel ~ (Vee - Vcesi)R +RVoL~1.9V7
7 10.2.2 集成施密特触发器 一、双极型IC 1. 3 4 4 2 2 0 1 2 R R R V V V V T T V V E CC CES I O OL + − = = ( ) 时， 截止， 饱和导通， → → → = + BE E I C C C I I E V V V i V i V V V V T 1 1 1 2 2 1 当 ，至 0.7 时， 导通，并引起 T T VO VOH 迅速转为 导通， 截止 = 1 2 2 4 4 2 1 1 R R R VE VE Vcc VCES + → ( − ) VOL 1.9V
VI=1时，T饱和，T截止，V=VoHR2<RM2 k2 1.4 k2R4iR3VEl ~ (Vcc -VcEsi)iB2R, + R4UCIT2Vc2iciVBI当V，至V-VEI+0.7V时，T脱离饱和，并引起Vici+→Vc个→ic2个T1ic2VEVBEIV-VEA≤R4480.迅速转为T截止，T导通V=V0R4V = Ve. +0.7VVel -→ Ve2 ~ (Vec-VCES2)R+RR4Ve ~(Vc-VceCES1R + R4VI+=VEI +0.7V8
8 2 4 4 1 1 1 1 2 R R R V V V V T T V V E CC CES I O OH + − = = ( ) 时， 饱和， 截止， → → → = + BE E I C C C I I E V V V i V i V V V V T 1 1 1 2 1 1 当 ，至 0.7 时， 脱离饱和，并引起 T T VO VOL 迅速转为 截止， 导通 = 1 2 3 4 4 1 2 2 R R R VE VE Vcc VCES + → ( − ) VT+ =VE2 + 0.7V VT+ =VE1 + 0.7V 2 4 4 1 1 R R R VE Vcc VCES + ( − )
2.器件实例74 13二极管与门施密特电路电平偏移输出电路VocIR,R23RMRi>RsMRM13022ko>4kQ1.4kiRiB2TUciTSVc2iciD.DDuUBIAD,立DVoB VTaicY0UtCV图形符号TD4DMR4ROERs480本本本本4附加部分：3H输入加“与门”2F输出加推拉式输出级“反相Vor电压值较高，加入电平偏移部分00.51.01.52.0V/V9
9 2. 器件实例 74 13 电压值较高，加入电平偏移部分 输出加推拉式输出级“反相” 输入加“与门” 附加部分： VO L
二、CMOSIC施密特电路整形级缓冲级VDD1输入UTJO保护1Ko/VVpb=15VT1311511Tio?10V51510150/V
10 二、CMOS IC