电子科技大学：《薄膜晶体管原理与技术》课程教学资源（课件讲稿）第5章 金属氧化物薄膜晶体管

5.2.2a-GZ0TFT的特性 1.TFT的输出特性与转移特性 1E4 0.00028 沟道夹断 VDS-15V 1E-6月 0.00020 VGs=0-400 0.00015 1E-8 V升高 0.00010 线性区 1E-10 0.00005 1e-12 VoN 0.00000 1E-14 40 20 .10 VDS(V) VGs(V) 2.迁移率与阈值电压 300 100 250 Vos=1V 80 V=20V 200 60 150 Vpe=0.1V Vos=2V 100 50 0 10 20 30 51015202530354045 VGS(V) Ves(V)

5.2.2 α-IGZO TFT的特性 1. TFT的输出特性与转移特性 2. 迁移率与阈值电压

3.开关比和亚阈值摆幅 105 10 -8 -10 1 -12 104 S(VIdec) .14 0.1 0 5 10152025 0 o 20 Vas(V) VGs(V)

3. 开关比和亚阈值摆幅