数字遇辑电路教学课程 1.RAM的结构 0 地址译码器 存储 矩阵 n-1 地址线 字线 读写痉制(R∧w 片选(CS) 读写控制电路数据输入输出 (O)
1. RAM的结构 . . . . . . A0 A1 An-1 地 址 译 码 器 存 储 矩 阵 W0 W1 W2 n -1 地址线 字线 读写/控制电路 读写/控制(R/W) 片选(CS) 数据输入/输出 (I/O)
数字遇辑电路教学课程 当片选信号CS无效时,O对外呈高阻; 当片选信号CS有效时,白Rw信号决定读或写,根据 地址信号通过顶O输出或输入(O为双向三态结构) EN EI R
EN EN 1 1 I/O D R/W 当片选信号CS无效时,I/O对外呈高阻; 当片选信号CS有效时,由R/W信号决定读或写,根据 地址信号,通过I/O输出或输入.(I/O为双向三态结构)
数字遇辑电路教学课程 2.RAM的存储单元 1)静态RAM的基本存储单元 (以六管NMOs静态存储单元为例) 目目
2. RAM的存储单元 1) 静态RAM的基本存储单元 (以六管NMOS静态存储单元为例)
数字遇辑电路教学课程 CC 位线 位 线 B B 6 Q Q t 存储 单元 8 VO vO VO 1O
X i Yj I/O I/O VCC T6 Q Q T4 T3 T1 T2 T5 T 8 T 7位线Bj 位线Bj 存储 单元 1 1 I/O I/O Q Q
数字遇辑电路教学课程 2)动态RAM的基本存储电路 动态RAM的基本存储电路由动态MOS基本存储单元组成。 动态MOS基本存储单元通常利用MOS管栅极电容或其它 寄生电容的电荷存储效应来存储信息。 目目
2) 动态RAM的基本存储电路 动态RAM的基本存储电路由动态MOS基本存储单元组成。 动态MOS基本存储单元通常利用MOS管栅极电容或其它 寄生电容的电荷存储效应来存储信息