数字辑电路教学课程 Q)④阵列图 地址『数据 A ao FffF 0 与阵列 0 001 表示译 100110 码器。 00 0 &&&‖& 0 或阵列 存储容量为 4×4 表示存 储阵列
④ 阵列图 与阵列： 表示译 码器。 或阵列： 表示存 储阵列。 存储容量为： 4×4 地址 数据 A1 A0 F0 F1 F2 F3 0 0 0 1 0 0 0 1 1 0 0 1 1 0 0 1 1 0 1 1 0 0 1 0 1 A1 1 A0 & & & & ≥1 ≥1 ≥1 ≥1 F0 F1 F2 F3 m0m1 m2m3
数字遇辑电路教学课程 2可编程只读存储器 用户可根据需要自行进行编程的存储器. PROM(Programmable Read-Only Memory) PROM为能进行一次编程的ROM,PROM的结构和ROM 基本相同只是在每个存储管上加一根易熔的金属丝接到 相应的位线 当在该位上需要存0时,通过 位线 编程,烧断熔丝;当需存1时, 保留熔丝 字线编程为一次性的烧断的熔丝 不能再接上 目目
2.可编程只读存储器 用户可根据需要自行进行编程的存储器. 1) PROM(Programmable Read-Only Memory) PROM为能进行一次编程的ROM，PROM的结构和ROM 基本相同,只是在每个存储管上加一根易熔的金属丝接到 相应的位线. 位线 字线 当在该位上需要存0时,通过 编程,烧断熔丝;当需存1时, 保留熔丝. 编程为一次性的,烧断的熔丝 不能再接上
数字遇辑电路教学课程 2)EPROM (Erasable Programmable Read-Only Memory) EPROM为可擦除、可重新编程的只读存储器擦除用专用 的紫外线灯照射芯片上的受光窗口. EPROM器件的基本存储单元采用浮栅雪崩注入MOS管 (简称 FAMOS管)电路 原始状态的浮栅不带电荷, FAMOS管 DD 不导通位线上为高电平当 FAMOS管 的源极S与衬底接地电位极接高电 位(较大)时漏极的PN结反向击穿产生 字线 雪崩现象,使 FAMOS导通位线为低 电位 FAMOS 如用紫外线或者X射线照射 FAMOS管, D 可使栅极放电, FAMOS恢复到截止 位线 状态
2)EPROM (Erasable Programmable Read-Only Memory) EPROM为可擦除、可重新编程的只读存储器.擦除用专用 的紫外线灯照射芯片上的受光窗口. EPROM器件的基本存储单元采用浮栅雪崩注入MOS管 (简称FAMOS管)电路. FAMOS VDD D S 字线 位线 原始状态的浮栅不带电荷,FAMOS管 不导通,位线上为高电平.当FAMOS管 的源极S与衬底接地电位,漏极接高电 位(较大)时,漏极的PN结反向击穿产生 雪崩现象,使FAMOS导通.位线为低 电位. 如用紫外线或者X射线照射FAMOS管, 可使栅极放电,FAMOS恢复到截止 状态
数字遇辑电路教学课程 一个 EPROM芯片: Intel2716 受光窗口 CC VPP OE CE CE是片使能端 24 131 OE是数据输出使能端; VP是编程写入电源输入端。 容量:2K×8位 GND
一个EPROM芯片：Intel 2716 VCC VPP OE CE GND 1 12 24 13 CE是片使能端； OE是数据输出使能端； VPP是编程写入电源输入端。 容量：2K×8位 受光窗口
数字遇辑电路教学课程 2716工作方式 工作方式CE OE V PP 数据线DD的状态 读出 0 0 +5V读出的数据 未选中 X +5V 阻 待机 X +5V 阻 编程 几 +25V写入的数据 禁止编程 1+25高阻 校验读出0 0+2v读出校验数据 目目
工作方式 读 出 未选中 待 机 编 程 禁止编程 校验读出 CE OE VPP 数据线D7~D0的状态 0 0 +5V 读出的数据 × 1 +5V 高 阻 1 × +5V 高 阻 1 +25V 写入的数据 0 1 +25V 高 阻 0 0 +25V 读出校验数据 2716工作方式