化学位移：shifichemical由于屏蔽作用的存在，氢核产生共振时H.的移动现象,称为化学位移abH核CH3-0H感应磁场TMS外磁场8. 07.06. 05.04.03. 02. 01. 00电子对质子的屏蔽作用8/PPm木百17:14:02Kage页页
17:14:02 化学位移： chemical shift 由于屏蔽作用的存在，氢核产生共振时H0的移动现象,称 为化学位移
2.化学位移的表示方法a6CHs-OH1）位移的标准THS无绝对的标准因没有完全裸露的氢核8.07.06.05.04.03.02.01.008/PPm（内标）相对标准：四甲基硅烷(TMS)Si(CH3)4位移常数drMs=0(2）为什么用TMS作为基准？a.12个氢处于完全相同的化学环境，只产生一个尖峰；b.屏蔽强烈，位移最大,无重迭c.化学惰性;易回收。d.易溶于有机溶剂.沸点低，未首17:14:02ae页页
17:14:02 2. 化学位移的表示方法 (1)位移的标准 无绝对的标准,因没有完全 裸露的氢核. 相对标准：四甲基硅烷 Si(CH3 )4 （TMS）（内标） 位移常数 TMS=0 (2) 为什么用TMS作为基准? a. 12个氢处于完全相同的化学环境，只产生一个尖峰； b.屏蔽强烈，位移最大,无重迭; c.化学惰性； d. 易溶于有机溶剂,沸点低，易回收
（3）.位移的表示方法abCH:-0HTMS的化学位移最大，并TMSn规定 SrMs=0，其他种类氢核的位移为负值，负号不加。4.02.01.08. 07. 06.05.03.00S小，屏蔽强，共振需8/PPm要的磁场强度大，在高场出顺磁性位移，去屏蔽效应现，图右侧：TMS抗磁性位移，屏蔽效应S大，屏蔽弱，共振需高场低场要的磁场强度小，在低场出CHC138小8大现，图左侧；8. 07. 06. 05.04.03. 02. 01. 008/PPm木E17:14:02ae页顶
17:14:02 TMS的化学位移最大，并 规定 TMS=0，其他种类氢核 的位移为负值，负号不加。 小，屏蔽强，共振需 要的磁场强度大，在高场出 现，图右侧； 大，屏蔽弱，共振需 要的磁场强度小，在低场出 现，图左侧； (3).位移的表示方法
影响化学位移的因素factors influenced chemical shif1.电负性--去屏蔽效应-CH3CH:CH21与质子相连元素的电负性—CH21TMS越强，吸电子作用越强，电子云密度降低，屏蔽作用减1.08.07. 06.05.04.03.02.0弱，信号峰在低场出现8/.PPm-CH, ，S=1.6~2.0;ab-CHI,8=3.0~3.5CH3-0HTMS-C-H,-O-H,8大8小08.07. 06.05.04.03.02. 01. 0低场高场8/PPm未首17:14:02Kage页页
17:14:02 二、影响化学位移的因素 factors influenced chemical shift 1．电负性-去屏蔽效应 与质子相连元素的电负性 越强，吸电子作用越强，电 子云密度降低，屏蔽作用减 弱，信号峰在低场出现。 -CH3 ， =1.6~2.0； -CH2 I， =3.0 ~ 3.5 -O-H， -C-H， 大 小 低场 高场