3.2半导体二极管门电路 3.2,1半导体二极管的开关特准向导通时 1.静态特性及开关等效电路 UD(ON)≈0.7V(硅) i/mA 0.3V(锗) RD≈几Q几十 0.50.7u/V 关闭合 图3-1二极管的伏安特性曲线 Up
11 3.2.1 半导体二极管的开关特性 1. 静态特性及开关等效电路 正向导通时 UD(ON)≈0.7V（硅） 0.3V（锗） RD≈几Ω ～几十 Ω 相当于开关闭合 图3-1 二极管的伏安特性曲线 3.2 半导体二极管门电路
反向截止时 反向饱和电流极小 i/mA 反向电阻很大（约几百kΩ） 相当于开关断开 0.50.7 u/V 图3-1二极管的伏安特性曲 12
12 反向截止时 反向饱和电流极小 反向电阻很大（约几百kΩ） 相当于开关断开 图3-1 二极管的伏安特性曲线
i/mA i/mA 开启电压 O0.50.7u/V u/V (a) (b) 图3-1二极管的伏安特性曲线 理想化 伏安特 +二 以+ 性曲线 (a) (b) 图3-2二极管的开关等效电路 (a)导通时 6)截止时 13
13 图3-2 二极管的开关等效电路 (a) 导通时 (b) 截止时 图3-1 二极管的伏安特性曲线 开启电压 理想化 伏安特 性曲线
二极管从截止变为导通和从导通变为截止都需 要一定的时间。通常后者所需的时间长得多。 反向恢复时间tre:二极管从导通到截止所需的 时间。 一般为纳秒数量级（通常tre≤5ns 若输入信号频率过高，二极管会双向导通，失去 单向导电作用。因此高频应用时需考虑此参数。 14
14 2. 动态特性： 若输入信号频率过高，二极管会双向导通，失去 单向导电作用。因此高频应用时需考虑此参数。 二极管从截止变为导通和从导通变为截止都需 要一定的时间。通常后者所需的时间长得多。 反向恢复时间tre ：二极管从导通到截止所需的 时间。 一般为纳秒数量级（通常tre ≤5ns ）
3.2.2二极管与门 1.电路 2.工作原理 A、B为输入信号 +Vcc (+3V或0V) F为输出信号 R VCC=+12V 表2-1 电路输入与输出电压的关 A B F OV OV 0.7V OV 3V 0.7V 3V OV 0.7V 3V 3V 3.7V 15
15 3.2.2 二极管与门 1. 电路 2. 工作原理 A、B为输入信号 （+3V或0V） F 为输出信号 VCC＝+12V 表2-1 电路输入与输出电压的关系 A B F 0V 0V 0.7V 0V 3V 0.7V 3V 0V 0.7V 3V 3V 3.7V