>磷光寿命t，：磷光分子处于T激发态的平均寿命。自旋禁阻的跃迁T,-Sok,<<k,T>>TfT,达到毫秒级>荧光（或磷光）强度的衰变I。 : t=0荧光强度n I。-h I, =t / t光强度I, : t=t
➢ 磷光寿命τp ：磷光分子处于T1激发态的平均寿命。 T1 S0 自旋禁阻的跃迁 >> f p p 达到毫秒级 ln ln / 0 I I t − t = 0 I t I ：t=0 荧光强度 ：t=t 光强度 ➢ 荧光（或磷光）强度的衰变 p k f << k
>荧光量子产率（d）定义为荧光物质吸光后所发射的荧光的光子数与所吸收的激发光的光子数之比值。(k, +ZK)>荧光量子产率的大小取决于荧光发射与非辐射跃迁过程的竞争结果ZK<<k
➢ 荧光量子产率（f）定义为荧光物质吸光后所发 射的荧光的光子数与所吸收的激发光的光子数之比 值。 + = (k K) k f f f ➢ 荧光量子产率的大小取决于荧光发射与非辐射 跃迁过程的竞争结果。 << f K k f 1
>磷光量子产率（dpKpK,+EK,K，：磷光发射的速率常数dsT ：Si-→T系间窜越的量子产率ZK,：与磷光发射过程相竞争的从T,态发生的所有非辐射跃迁过程的速率常数的总和
➢ 磷光量子产率（p） + = p j p p S T K K K Kp ：磷光发射的速率常数 ST ：S1 T1系间窜越的量子产率 Kj ：与磷光发射过程相竞争的从T1态发生 的所有非辐射跃迁过程的速率常数的 总和
>荧光（或磷光）量子产率的大小，主要决定于化合物的结构与性质，同时也与化合物所处环境因素有关。可用参比法进行测定。·du、Fu、Au：待测物质的荧光量子产率、积分荧光强度、吸光度ds、Fs、As：参比物质的荧光量子产率、积分荧光强度、吸光度
➢ 荧光（或磷光）量子产率的大小，主要决定于 化合物的结构与性质，同时也与化合物所处环境 因素有关。可用参比法进行测定。 U S S U U S A A F F = U FU AU S FS AS 、 、 ：待测物质的荧光量子产率、积分 荧光强度、吸光度 、 、 ：参比物质的荧光量子产率、积分 荧光强度、吸光度
荧光、磷光与分子结构的关系>分子中的电子是依序排列在能量由低到高的分子轨道上0*反键轨道元*n电子元键合轨道O图8-2.有机分子吸光所涉及的能层
二、荧光、磷光与分子结构的关系 ➢ 分子中的电子是依序排列在能量由低到高的 分子轨道上。 π n σ π* σ* 电子 反键轨道 键合轨道 图8-2.有机分子吸光所涉及的能层