、十 必土 DS 干王王王王干 显然，Vo>VA>VG>VB VGD VGS -VDS VcD的大小将沿着沟道而变化，越靠近漏区VcD越小，沟 道越窄；越靠近源区VcD越大，沟道越宽
B A N D P P N S G VGS VDS 显然，VD > VA > VG > VB VGD =VGS −VDS VGD的大小将沿着沟道而变化，越靠近漏区VGD越小，沟 道越窄；越靠近源区VGD越大，沟道越宽
当Vos继续增大，则VcD相应的减小。直到VcD='csM或 表示为： VGS(h =VGS VDS 或VDs=VGs一VGsh时，靠近漏端的反型层消失。 即靠近漏区的沟道被夹断，夹断点A称为预夹断点
当 VDS 继续增大，则 VGD 相应的减小。直到 VGD = VGS(th) 或 表示为： VGS(t h) = VGS −VDS 或 VDS = VGS −VGS(t h) 时，靠近漏端的反型层消失。 即 靠近漏区的沟道被夹断，夹断点 A称为预夹断点。 A N D P P N S G VGS VDS
Vps继续增大，预夹断点前移，导电沟道变短。 VGa =VGS(h) 综合上面的分析，可以画出Vcs>VcsM’并且为一定值时， 漏极电流Ip,随Vps变化的特性
VDS 继续增大，预夹断点前移，导电沟道变短。 VGA = VGS(th) A N D P N P S G VGS VDS 综合上面的分析，可以画出VGS > VGS(th) ，并且为一定值时， 漏极电流ID ，随VDS变化的特性
(a)设'ps=0V开始 当's很小，沟道电 阻几乎与'ps无关，Io随 Vos线性增大。 (b)、Vps继续增大，靠近 漏区的沟道变窄，沟道电 阻增大。Io随Vps增大趋于 缓慢。 VDs=Vas-VGs(th) (c)、当VDs=VGs-Vcsh时 靠近漏区的沟道被夹断，即在A点处。 Vs继续增大时，VGA=VGsh Vas =VGs -VGSChD) VoM=Vos-(WGs-VGsh
(a)、设 VDS = 0 V 开始 ID VDS 0 VDS =VGS-VGS(th) 当 VDS 很小，沟道电 阻几乎与VDS 无关，ID随 VDS线性增大。 (b)、VDS 继续增大，靠近 漏区的沟道变窄，沟道电 阻增大。ID随VDS增大趋于 缓慢。 （c）、当 VDS = VGS −VGS(th) 时 靠近漏区的沟道被夹断，即在A点处。 A VDS 继续增大时， VGA = VGS(th) VAS = VGS −VGS(th) ( ) VDA = VDS − VGS −VGS(t h)
形成漏极指向夹断点的 电场，Ip几乎不随Vs而变 化的恒值。 (d)、沟道长度调制效应： Vps 0 Vps =VGs(th) 预夹断后，继续增大Vs,预夹断点会向源区方向移 动，导致沟道长度减小，相应的沟道电阻减小，结果，是 I,略有增大。这种效应称为沟道长度调制效应
ID VDS 0 VDS = VGS(th) 形成漏极指向夹断点的 A 电场，ID几乎不随VDS而变 化的恒值。 （d）、沟道长度调制效应： 预夹断后，继续增大VDS ，预夹断点会向源区方向移 动，导致沟道长度减小，相应的沟道电阻减小，结果，是 ID略有增大。这种效应称为沟道长度调制效应