第二节 PN结
第二节 PN结
一、PN结制造工艺： 在一块P型（或型）半导体中，掺入施主杂质（或受主杂 质)，将其中一部分转换为N型（或P型）。这样形成的PN结 保持了两种半导体之间晶格结构的连续性，此制造工艺称为 平面扩散法。 实际的PN结均为不对称结，它的P型和N型半导体具有 不同的掺杂浓度。其中，P区掺杂浓度大于N区的称为P+W 结；N区掺杂浓度大于P区的称为PW+结
一、PN结制造工艺： 在一块P 型（或N型）半导体中，掺入施主杂质（或受主杂 质），将其中一部分转换为N型（或P型）。这样形成的PN结 保持了两种半导体之间晶格结构的连续性，此制造工艺称为 平面扩散法。 P N + + PN 实际的PN结均为不对称结，它的P型和N型半导体具有 不同的掺杂浓度。其中，P区掺杂浓度大于N区的称为 结；N区掺杂浓度大于P区的称为 结
二、动态平衡下的PN结： 1、PN结形成过程（阻挡层形成的物理过程）： 接触面 P型 N型 。 0 Φ8。⊕⊕ ● O O ● ⊕⊕·⊕o⊕ ⊕ ⊙● ● O。⊙ O ⊕。⊕⊕⊕⊕ ○ O ⊕ ⊕ o ● O ⊕⊕
1、PN结形成过程（阻挡层形成的物理过程）： 二、动态平衡下的PN结： 接触面 P型 N型
空间电荷区 P区 N区 ⊕ ⊕ ⊕·⊕⊕ ● ● 0. O ⊕ ⊕ ⊕o⊕ ⊕ e.0 O ⊕ ⊕ ⊕ ⊕· ⊕ ⊕ ④ ⊕ ⊕ ⊕ ● @o ⊕ ⊕ ⊕ ⊕ ⊕ 内建电场E 设ID为P区流向N区的扩散电流 L,为N区流向P区的漂移电流
空间电荷区 内建电场E P区 N区 设 ID 为P区流向 N区的扩散电流 IT 为N区流向P区的漂移电流
由于浓度差的影响，载流子将产生扩散运动。随着多子 扩散运动的进行，紧靠在接触面两侧留下被电的离子电荷量 增多，空间电荷区增宽，其间的内建电场E相应增大。 结果：是多子扩散减弱，同时少子漂移增强，直到扩散 和漂移运动达到动态平衡
由于浓度差的影响，载流子将产生扩散运动。随着多子 扩散运动的进行，紧靠在接触面两侧留下被电的离子电荷量 增多，空间电荷 区 增宽，其间的内建电场E相应增大。 结果：是多子扩散减弱，同时少子漂移增强，直到扩散 和漂移运动达到动态平衡