小结： (1)、ENOS场效应管，主要依靠一种载流子多子，参与 导电 自由电子。因此，称MOS管为单极型管；而 晶体三极管是由多子和少子两种在流子参与导电，可称为 双极型管。 (2)、通过分析工作原理，可知两个高掺杂的N区与衬底 之间的PN结，必须外加反向偏置电压。 (3)、电路符号中的衬底箭头方向，是PN结外加正向偏 置时的正向电流方向
小结: （1）、ENOS场效应管，主要依靠一种载流子多子，参与 导电————自由电子。 因此，称MOS管为单极型管；而 晶体三极管是由多子和少子两种在流子参与导电，可称为 双极型管。 （2）、通过分析工作原理，可知两个高掺杂的N区与衬底 之间的PN结，必须外加反向偏置电压。 （3）、电路符号中的衬底箭头方向，是PN结外加正向偏 置时的正向电流方向
2、伏安特性： 输入特性Ig=0 输出特性ID=f(VDs)vas VGs为常数。 Ip/mA VDS=VGS-VGS(h) VGS=5.5V 5V 4.5V 4V 3.5V 5V10V15V 20V3V VDS/V EMOS管的输出特性曲线
2、伏安特性： 输入特性 IG = 0 输出特性 VGS为常数。 VGS D VDS I = f ( ) EMOS管的输出特性曲线 ID/mA 3.5V VDS/V 4.5V 4V VGS=5.5V 5V 0 VDS = VGS-VGS(th) 5V 10V 15V 20V 3V
输出特性曲线画分为四个工作区： (1)、非饱和☒ 即VGs>VGsuh VDS VGS -VGSUh) D的大小同时受Vcs与VDs的控制。它们的依存关系为： 1。=S”s-as-】 21 式中：山为自由电子迁移率； Cox为单位面积的栅极电容量； 1为沟道长度； W为沟道的宽度
输出特性曲线画分为四个工作区： （1）、非饱和区 即 VGS VGS(th) VDS VGS −VGS(t h) ID 的大小同时受 VGS 与 VDS 的控制。它们的依存关系为： 2 ( ) 2 ) 2 GS GS t h DS DS n o x D V V V V l C W I = （ − − 式中： μn 为自由电子迁移率； Cox 为单位面积的栅极电容量； l 为沟道长度； W 为沟道的宽度
当VDs的值很小时，VDs的二次项可忽略。 b≈no[2Vas-Vosh)yn =Cy(s-as,严s
当 VDS 的值很小时，VDS的二次项可忽略。 [2( ) ] 2 G S G S(t h) D S n o x D V V V l C W I − G S G S t h D S n o x V V V l C W ( ) = − ( )