N沟道EMOS场效应管结构示意图 S EN 耗尽层 P 1、工作原理 (1)、导电沟道形成原理： 当Vos='Gs=0时结构示意图
N沟道EMOS场效应管结构示意图 N D P P N S G 耗尽层 1、工作原理 （1）、导电沟道形成原理： 当 VDS = VGS = 0 时 结构示意图
当Vs=0,在栅极G与源极S之间外加电压Vcs时： 随着Vs的增大电场增强
当 VDS = 0 ，在栅极G与源极S之间外加电压VGS 时： N D P P N S G VGS 随着VGS 的增大电场增强
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N D P P N S G VGS 随着VGS 继续增大，电场继续增强 N D P P N S G VGS
GS I P 7 P型半导体，转型为N型半导体，称为反型层。此时如外 加Vs电压，将有电流自漏区流向源区。 根据结构图看出，反型层的宽窄，可由'cs的大小来调整。 我们将反型层，称为导电沟道，由于反型层是N型半导体， 测称为N沟道。 形成导电沟道时： 所对应的'cs电压，称为开启电压，用VGs表示
P型半导体，转型为N型半导体，称为反型层。此时如外 加VDS电压，将有电流自漏区流向源区。 根据结构图看出，反型层的宽窄,可由VGS 的大小来调整。 我们将反型层，称为导电沟道，由于反型层是N型半导体， 则称为N沟道。 N D P P N S G VGS 所对应的VGS电压，称为开启电压，用VGS(th) 表示。 形成导电沟道时：
(2)、Vs对沟道导电能力的控制： 当Vcs为一定值，'os>0时，在'ps的作用下，形成漏 极电流ID。 DS 十十十十十十 漏极与源极之间，存在着电位差
（2）、VDS对沟道导电能力的控制： 当 VGS 为一定值，VDS > 0 时，在VDS的作用下，形成漏 极电流 ID 。 N D P P N S G VGS VDS 漏极与源极之间，存在着电位差