第三节 场效应管应用
第三节 场效应管应用
一、有源电阻 与普通的线性电阻不同，用三端器件构成的有源电阻， 一般都是非线性的。 例如、有一三端器件(N沟道EMOS管)，连接成二端 有源电阻器，如图所示：
一、有源电阻 与普通的线性电阻不同，用三端器件构成的有源电阻， 一般都是非线性的。 例如、有一三端器件（N沟道EMOS管），连接成二端 有源电阻器，如图所示： iD S G D vDS R i v
VDS VGS =v 根据电路可知： VDS YGs -VGs(th) 当vGs>Vcsh 时，EMOS管工作在饱和区 则 21 即 -Ys足 21
v v v DS = GS = i i D = iD S G D vDS 根据电路可知： DS GS VGS(t h) v v − 当 vGS VGS(t h) 时，EMOS管工作在饱和区 则 2 ( ) ( ) 2 G S G S t h n o x D v V l C W i = − 即 2 ( ) ( ) 2 GS t h n ox v V l C W i = − R i v
根据此方程，可画出伏安特性曲线。 VGS VGSQ 根据伏安特性，可知有源电阻是非线性的，其阻值的 大小是随Q点的变化而变化的。有源电阻可被定义为： 式中Vcso、lo均为 R 直流分量，因此，R称为直 流电阻
根据此方程，可画出伏安特性曲线。 0 iD vGS IDQ Q VGSQ 根据伏安特性，可知有源电阻是非线性的，其阻值的 大小是随Q点的变化而变化的。有源电阻可被定义为： DQ Q GSQ I V R = 式中 VGSQ 、IDQ 均为 直流分量，因此，R称为直 流电阻
V GSQ VGS 若在直流量上叠加一很小的交流量，如图所示： r= △E r为有源电阻器的交 流电阻，其阻值的大小是 △VGs Q点处切线斜率的倒数。 VGS
IDQ Q VGSQ 0 iD vGS 若在直流量上叠加一很小的交流量，如图所示： D Q GS I V r = r 为有源电阻器的交 流电阻，其阻值的大小是 Q点处切线斜率的倒数。 0 vGS iD I Q DQ VGSQ ΔVGS ΔID