第四节晶体三极管 的伏安特性曲线
第四节 晶体三极管 ————的伏安特性曲线
晶体三极管的理论伏安特性曲线，可以根据埃伯尔斯一 一莫尔方程直接画出来。 理论伏安特性曲线： 是不考虑中性区所固有的体电阻、制造工艺上的离散性 以及其它的寄生影响等因素。 如果考虑到这些影响，则实际的伏安特性曲线将偏离理 论伏安特性曲线。一般都采用实验方法逐点描绘出来或用晶 体三极管测试仪直接侧得
晶体三极管的理论伏安特性曲线，可以根据埃伯尔斯— —莫尔方程直接画出来。 理论伏安特性曲线： 是不考虑中性区所固有的体电阻、制造工艺上的离散性 以及其它的寄生影响等因素。 如果考虑到这些影响，则实际的伏安特性曲线将偏离理 论伏安特性曲线。一般都采用实验方法逐点描绘出来或用晶 体三极管测试仪直接侧得
双口网络 V2 E 共基极 VEB CB B
V1 双口网络 I2 I1 V2 共基极 VEB IE IC VCB E C B
VCE B E 共发射极 共集电极
共发射极 共集电极 VBC IE IB VBC E B C VCE IC IB VBE B C E
以共发射极为例： 根据电路可知： 有四个变量B、VBE、Ic、VcE 输入特性曲线族 1B=才e(VBEvcE V BE 输出特性曲线族 1c=f2E（VcE, 或1c=f2EVCEVo
以共发射极为例： 根据电路可知： 有四个变量 IB 、VBE 、IC 、VCE 输入特性曲线族 VC E B E VBE I = f 1 （ ） 输出特性曲线族 B C E CE I I = f 2 （V ） 或 VBE C E VCE I = f 2 （ ） VCE IC IB VBE E C B