受主杂质:束缚在杂质能级上的空穴 被激发到价带Eν成为价带空穴,该杂质电 离后成为负电中心(负离子)。这种杂质 称为受主杂质。 Si、Ge中Ⅲ族杂质的电离能△EA(eV) 日日 体 质 B a n Si0.0450.0570.065016 e10.0110.00.0I0.01I
受主杂质：束缚在杂质能级上的空穴 被激发到价带Ev成为价带空穴，该杂质电 离后成为负电中心（负离子）。这种杂质 称为受主杂质。 Si、Ge中Ⅲ族杂质的电离能△EA（eV） 晶体 杂 质 B Al Ga In Si 0.045 0.057 0.065 0.16 Ge 0.01 0.01 0.011 0.011
上述杂质的特点 施主电离能△ED《Eg 受主电离能△EA《Eg 浅能级杂质
⚫上述杂质的特点： 施主电离能△ED《 Eg 受主电离能 △EA《 Eg 浅能级杂质