施主电离能:△ED=Ec-ED Ec △ED=Ec-ED ED Ey
施 主 电 离 能：△ED=EC-ED ⚫ ⚫ △ED=EC-ED Eg EC ED EV
主杂质:束缚在杂质能级上的电子 被激发到导带Ec成为导带电子,该杂质电 离后成为正电中心(正离子)。这种杂质 称为施直杂质。 i、Ge中Ⅴ族杂质的电离能△Ep(eV) 晶体 质 As Sb 00440.049 0.039 Ge0.01260.01270.0096
施主杂质：束缚在杂质能级上的电子 被激发到导带Ec成为导带电子，该杂质电 离后成为正电中心（正离子）。这种杂质 称为施主杂质。 Si、Ge中Ⅴ族杂质的电离能△ED（eV） 晶体 杂 质 P As Sb Si 0.044 0.049 0.039 Ge 0.0126 0.0127 0.0096
3、受主能级:举例:S中惨硼(S:B) 价带空穴电离受主B
3、受主能级：举例：Si中掺硼B（Si：B） 价带空穴 电离受主 B-
受主能级E 电离的结果:价带中的空穴数增加了,这即是掺受主的意义所在
受主能级 EA 电离的结果：价带中的空穴数增加了，这即是掺受主的意义所在
Ec E EA △EA EV 受主电离能:△EA=EAEV
受主 电 离 能： △EA=EA-EV Eg EA △EA EV EC