Q能带理论(区别三者导电性) ◆金属中,由于组成金属的原子中的价电子占据 港带是部分占满的,所以金属是良好的导体 半体由于禁带宽度比较公,n在源度升或自 带中去,这样在导带中就有自由电子,在价带 中就相应的缺少电子,等效为带有正电子的空 穴,电子和空穴同时参与导电,使得半导体具 有一定的导电性能 ◆一般对于绝缘体,禁带宽度较大,在温度升高 或有光照时,能够得到能量而跃迁到导带的电 子很少,因此绝缘体的导电性能很差
6 能带理论（区别三者导电性） 金属中，由于组成金属的原子中的价电子占据 的能带是部分占满的，所以金属是良好的导体。 半导体由于禁带宽度比较小，在温度升高或有 光照时，价带顶部的电子会得到能量激发到导 带中去，这样在导带中就有自由电子，在价带 中就相应的缺少电子，等效为带有正电子的空 穴，电子和空穴同时参与导电，使得半导体具 有一定的导电性能。 一般对于绝缘体，禁带宽度较大，在温度升高 或有光照时，能够得到能量而跃迁到导带的电 子很少，因此绝缘体的导电性能很差
Q半导体结构类型 金刚石结构(SiGe)同种元素的两套面 心立方格子沿对角线平移14套构而成 闪锌矿 五族化合物如GaAs):两种 元素的两套面心立方格子沿对角线平移 1/4套构而成 纤锌矿
7 半导体结构类型 • 金刚石结构（Si/Ge):同种元素的两套面 心立方格子沿对角线平移1/4套构而成 • 闪锌矿（三、五族化合物如GaAs)：两种 元素的两套面心立方格子沿对角线平移 1/4套构而成 • 纤锌矿
Q对禁带宽度的影响 ◆对于元素半导体: 同一周期,左-〉右,禁带宽度增大 同一族,原子序数的增大,禁带宽度减
8 对禁带宽度的影响 对于元素半导体： 同一周期，左-〉右，禁带宽度增大 同一族，原子序数的增大，禁带宽度减 小