在普通高真空，例如10Tom时，对于 室温下的氮气，v=4.4×104分子/cm2·s 如果每次碰撞均被表面吸附，按每平方 厘米单分子层可吸附5x104个分子计算， 一个“干净”的表面只要一秒多钟就被 覆盖满了一个单分子层的气体分子：而 在超高真P=10-10Tom10"Tom 时，由 同样的估计可知“干净”表面吸附单分 子层的时间将达几小时到几十小时之久
⚫ 在普通高真空，例如 时，对于 室温下的氮气， ， 如果每次碰撞均被表面吸附，按每平方 厘米单分子层可吸附 个分子计算， 一个“干净”的表面只要一秒多钟就被 覆盖满了一个单分子层的气体分子：而 在超高真空 或 时，由 同样的估计可知“干净”表面吸附单分 子层的时间将达几小时到几十小时之久。 Torr 6 10− v = cm s 14 2 4 4 10 分子/ 14 510 P Torr 10 10− = Torr 11 10−
因此超高真空可以提供一个“原子 清洁”的固体表面，可有足够的时间对 表面进行实验研究。这是一项重大的技 术突破，它导致了近二十年来新兴不明 科学研究的蓬勃发展。无论在表面结构、 表面组分及表面能态等基本研究方面， 还是在催化‘腐蚀等应用研究方面都取 得长足的发展
⚫ 因此超高真空可以提供一个“原子 清洁”的固体表面，可有足够的时间对 表面进行实验研究。这是一项重大的技 术突破，它导致了近二十年来新兴不明 科学研究的蓬勃发展。无论在表面结构、 表面组分及表面能态等基本研究方面， 还是在催化‘腐蚀等应用研究方面都取 得长足的发展
超高真空的这一特点还为得到超纯 的或精确掺杂的镀膜或分子束外延生长 晶体创造了必要的条件，这促进了半导 体器件、大规模集成电路和超导材料等 的发展，也为在实验室中制备各种纯净 样品（如电子轰击镀膜、等离子镀膜、 真空剖裂等)提供了良好的基本技术
⚫ 超高真空的这一特点还为得到超纯 的或精确掺杂的镀膜或分子束外延生长 晶体创造了必要的条件，这促进了半导 体器件、大规模集成电路和超导材料等 的发展，也为在实验室中制备各种纯净 样品（如电子轰击镀膜、等离子镀膜、 真空剖裂等）提供了良好的基本技术
(2)真空度的单位与区域划分 真空状态下气体稀薄程度称为真空度，通常 用压力值表示。1958年，第一界国际技术会议曾 建议采用“托”(Torr)作为测量真空度的单位。 国际单位制(I)中规定压力的单位为帕Pa)。我 国采用$I规定
（2）真空度的单位与区域划分 ⚫ 真空状态下气体稀薄程度称为真空度，通常 用压力值表示。1958年，第一界国际技术会议曾 建议采用“托”(Torr)作为测量真空度的单位。 国际单位制(SI)中规定压力的单位为帕(Pa)。我 国采用SI规定
●1标准大气压(1atm)≈1.013×105Pa(帕) ●1Torr≈1/760atm≈1mmHg o1Torr≈133Pa 我国真空区域划分为：粗真空、低真空、 高真空、超高真空和极高真空
⚫1标准大气压(1atm)≈1.013×105Pa(帕) ⚫1Torr≈1/760atm≈1mmHg ⚫1Torr≈133Pa ⚫ 我国真空区域划分为：粗真空、低真空、 高真空、超高真空和极高真空