电子科技大学：《半导体物理》课程教学资源（PPT课件讲稿）第八篇 半导体表面与MIS结构

令 28 akt 德拜长度 g p /y( qv(x) e →>F函数 kT p k T k T E ±262,(9 Do >(8 gLp k T 0 ppo 当V>0时取+号 当Ⅳ<0时取-号

  8 2 0 0 0 0           p p D p n k T qV x F qL k T 则 E                                         函数 德拜长度 令 F k T qV x e p n k T qV x e p n k T qV x F q p k T L k T qV x p k T p qV x p p p rs D 1 1 2 0 0 0 0 0 0 0 0 2 0 0 0 0   当V  0时取  号 当V  0时取 号

)表面电荷分布Q 根据高斯定律 →Q=-6n=E=干 265.H(x)mn gLp koT ppo 2表面电容C 假定Q跟得上V的变化 在低频情况的微分电容 7+1+“p0|c47-1 0 )>(0) 0 ko

  10 1 1 2 0 0 0 0 0 0 0 0                                m F p n k T qV F e p n e L p s p k T qV p k T p qV D rs s s   假定Qs跟得上Vs的变化 s s s V Q C    在低频情况的微分电容  Qs   rs 0 E 根据高斯定律   9 2 0 0 0 0 0          p p D rs p n k T qV x F qL   k T 