由§10-2-3晶体三极管的偏置电路 静态分析: R bI 4.7 7k TIb E=-9≈-243V 1b1+R 27k+10k T aa vAleo TIb@ +02V=-2.23V 扫扫扫 R R b2 R 100 Leg 2.23 400 Q ≈-066mA R,+R,0.1+3.3 E○ R q 3.3kl V≈E-R≈-9+47×066≈-59) Q -661A 日121664A<nEn-=24yA(在计算b极偏置电压时可以忽略Ld RoI+ Rn2 精确计算L约为63微安
Rc 4.7k Ec=-9V Cb Ex + - Ce Rx 400 Rb2 10k Rb1 27k Re1 100 Re2 3.3k Z L 10k §10-2-3 晶体三极管的偏置电路 T1 静态分析: 2.43 V 27k 10k 10k 9 1 2 2 1 c b b b T bQ E R R R V VT1eQ VT1bQ 0.2V 2.23V 0.66 mA 0.1 3.3 2.23 1 2 1 e e T eQ cQ eQ R R V I I 94.70.66 5.9V cQ c c cQ V E R I 6.6A cQ bQ I I (在计算b极偏置电压时可以忽略IbQ | | 6.6 A 243 A ) 1 2 b b c bQ R R E I 精确计算IbQ约为-6.3微安
由§10-2-4共发射极电路的频率响应 归电容耦合共e极放大器 扫低频响应: 耦合电容的容抗不容忽辟 E 荷单起见,下面只分析C的 R 影响(C的影响类似) 扫中频响应: 耦合电容的容抗可以忽略 结电容的影响可以忽 Re 平坦响应 电容耦合共e极放大器 高频响应: 必须考虑结电容的影响 通过电流放大系数的频率响应来分析
§10-2-4 共发射极电路的频率响应 Rb Rc Vi Ec Cb RL Cc Vo + - Re 电容耦合共e极放大器 电容耦合共e极放大器 低频响应: 中频响应: 高频响应: 耦合电容的容抗不容忽略 简单起见,下面只分析 Cc的 影响 (Cb的影响类似) 耦合电容的容抗可以忽略 结电容的影响可以忽略 平坦响应 必须考虑结电容的影响 通过电流放大系数的频率响应来分析
由§10-2-4共发射极电路的频率响应 日低频响应(c,C的影响) 分析C的影响 R/(R+1/ja)R=R+r 扫扫扫扫扫扫扫扫扫扫扫扫扫扫扫扫扫扫扫扫 HTk h Le -BZL R R r+(I+BR R,+ljac BRR +(1+BRR+R,.+jac 交流等效电路ZL 风(R/R b+(1+BR1+1C(R+R 高通滤波器=C(R+R) B(R∥R max r6+(1+BR C的影响请同学们自己考虑
§10-2-4 共发射极电路的频率响应 低频响应( Cb,Cc的影响) + - 交流等效电路 Rb Re Rc RL Vi Cb Cc ' 1 ' ' ' 1 1 1 // 1 1 1 1 1 b e c c L c L b e c L c c L L c L b e L l r R j C R R R R r R R R j C R R R j C R r R Z A Z'L L c L Cc Z R // R 1 j ' c c L l C R R 1 max ' 1 // b e c L l r R R R A e e e R R r ' 高通滤波器 分析 Cc的影响: Cb的影响请同学们自己考虑
由§10-2-4共发射极电路的频率响应 中频响应 B(R∥R2 +(+B)R max 在中同频带,电压增益为实 Aviv R 日数,且基本不随频率而变化 交流等效电路
§10-2-4 共发射极电路的频率响应 中频响应 ' max 1 // l b e c L m A r R R R A + - b c e 交流等效电路 Rb Re Rc RL Vi Cb Cc 在中间频带,电压增益为实 数,且基本不随频率而变化
由§10-2-4共发射极电路的频率响应 高频响应(了解) B 1+i/ r=Re+r 4≈BR ∥RE)-(R∥R1) +(+B5+R max +r 1+/on5+(+B i+R 扫低通滤波器 0m=0n 6+(l+BR r+Re R加]°[团m低 ≈(1+Bon=2
§10-2-4 共发射极电路的频率响应 高频响应(了解) 1 ' max ' ' ' ' 1 1 1 ~ // ~ 1 // ~ b e b e l e b e c L b e c L H r R r R j A R r R R R r R R R A j 1 ~ ' ' 1 b e b e H r R r R e e e R R r ' 低通滤波器 Re增加 |Al|max降低 H增加 T R r H f e b 1 2