动态平衡 t=0 t=t1 t=co n n P n p ④④曰⊙计 + X ⊕： + + + + ⊕ ⊕⊕日 + ⊕⊙ Free Free Electrons Holes Positive Negative Depletion Donor Acceptor Region lons lons Figure 2.19 Evolution of charge concentrations in a pn junction. n ⊕⊕⊙ Figure 2.20 Electric field in a pn junction
动态平衡
人 空间 电荷区 N 在PN结上加正 向电压，即外电 源的正端接P区， UPN 负端接N区，称 外电场 内电场 为PN结正偏 (如左图) 由于正偏时外电场与内电场的方向相反，空间电荷区变 窄，内电场被削弱，多子扩散得到加强，少子漂移将被 削弱，扩散电流（扩散运动产生的电流）大大超过漂移 电流（漂移运动产生的电流），最后形成较大的正向电 流（由P区流向N区的电流），称为PN结导通
在ＰＮ结上加正 向电压，即外电 源的正端接Ｐ区， 负端接Ｎ区，称 为ＰＮ结正偏 （如左图） 由于正偏时外电场与内电场的方向相反，空间电荷区变 窄，内电场被削弱，多子扩散得到加强，少子漂移将被 削弱，扩散电流（扩散运动产生的电流）大大超过漂移 电流（漂移运动产生的电流），最后形成较大的正向电 流（由Ｐ区流向Ｎ区的电流），称为ＰＮ结导通
空间电荷区 在PN结上加反 向电压，即外电 源的正端接N区， 负端接P区，称 内电场 外电场 为PN结反偏 (如左图) 由于外电场与内电场方向一致，空间电荷区变宽，内电 场增强，不利于多子的扩散，有利于少子的漂移。在电 路中形成了基于少子漂移的反向电流（由N区流向P区 的电流)。由于少子数量很少，因此反向电流很小，P N结截止
在ＰＮ结上加反 向电压，即外电 源的正端接N区， 负端接P区，称 为ＰＮ结反偏 （如左图） 由于外电场与内电场方向一致，空间电荷区变宽，内电 场增强，不利于多子的扩散，有利于少子的漂移。在电 路中形成了基于少子漂移的反向电流（由Ｎ区流向Ｐ区 的电流）。由于少子数量很少，因此反向电流很小，Ｐ Ｎ结截止
可知，PN结具有单向导电性。 即PN结正偏导通，反偏截止。 可进一步学习PN结的其它特性 PN结具有单向导电性。即PN结正偏导通，反偏截止。 理论证明，PN结的正向特性和反向特性可统一表示为电流方程： i=Is(e咖：-1) (8-1-3) 式中是PN结的端电压，是流过PN结的电流，I是反向饱和电流，=kT/q称为温度电压 当量，其中k是玻尔兹曼常数，T是热力学温度，g是电子的电量。在=300K时，≈26V。 电流方程描述了PN结伏安特性，由电流方程画出与u的关系曲线，如图8-1-9所示，称为PN 结的伏安特性曲线。 当工作频率超过一定的值时，PN结的单向导电性不能很好的体现，其原因是：在P结外加电 压发生变化时，结中储存的电荷量也将随之发生变化，因此，PN结具有一定的电容效应
可知，ＰＮ结具有单向导电性。 即ＰＮ结正偏导通，反偏截止。 可进一步学习PN结的其它特性
五.二极管的特性及参数 Protel等EDA 软件使用符号 国标 符号 将PN结加上相应的电极引线和 阳极 阴极 管壳，就成为半导体二极管，文 a 字符号D、图形符号如右 阳极一阴极 b 二极管的主体是PN结，但由于管壳、引线等因素的 影响，两者特性仍有区别
五．二极管的特性及参数 将ＰＮ结加上相应的电极引线和 管壳，就成为半导体二极管，文 字符号D、图形符号如右 二极管的主体是PN结，但由于管壳、引线等因素的 影响，两者特性仍有区别 国标 符号 Protel等EDA 软件使用符号