为什么关心空穴？空穴的移动 t=t t=t2 t=t3 = Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si ol. Si Si Si 2 Si Si Si Hole = Figure 2.4 Movement of electron through crystal
为什么关心空穴？空穴的移动
三.杂质半导体的导电特性 常温下，本征半导体 在本征半导体中参入微量 导电性能很微弱的， 的杂质（其它元素的原 难以达到实用目的 子)，就成为杂质半导体： 其导电性能大大增强 在硅或锗的晶体中掺入少量五价元素原子，这种杂质 半导体中电子浓度大大高于空穴浓度，主要依靠电子 导电，故称为电子半导体或N型半导体（解释） 电子为多数载流子 (简称多子)，空穴为少数载 流子（简称少子） 本征半导体的两种载流子)
三．杂质半导体的导电特性 电子为多数载流子（简称多子），空穴为少数载 流子（简称少子）（本征半导体的两种载流子） 常温下，本征半导体 导电性能很微弱的， 难以达到实用目的 在本征半导体中掺入微量 的杂质（其它元素的原 子），就成为杂质半导体， 其导电性能大大增强 在硅或锗的晶体中掺入少量五价元素原子，这种杂质 半导体中电子浓度大大高于空穴浓度，主要依靠电子 导电，故称为电子半导体或N型半导体（解释 ）
在硅或锗晶体中掺入三价元素原子，这种杂质 半导体中空穴浓度大大高于电子浓度，主要依 靠空穴导电，故称为空穴半导体或P型半导体 解释) 空穴是多数载流子，电子是少数载流子( 本征半 导体的两种载流子)
空穴是多数载流子，电子是少数载流子 （本征半 导体的两种载流子） 在硅或锗晶体中掺入三价元素原子， 这种杂质 半导体中空穴浓度大大高于电子浓度，主要依 靠空穴导电，故称为空穴半导体或P型半导体 （解释 ）
pn结 n p Cathode Anode Si Si Si Si = P B = si Si Si (a) (b) Figure 2.16 pn junction
pn结
四.PN结 对一块半导体采用不同的 N 杂工艺，使其一侧成为 型半导体，而另一侧成 N型半导体，则可成为 电性能可控制的半导体 耗尽层 空间电荷区 N 多数载流子由于浓度差 动)，如上图 在交界面两侧形成了一 成空间电荷区，也就是 内电场
四．PN结 虽然杂质半导体导电性 能大大增强，可是其导 电性能不便于控制 对一块半导体采用不同的 掺杂工艺，使其一侧成为 P型半导体，而另一侧成 为N型半导体，则可成为 导电性能可控制的半导体。 在Ｐ型和Ｎ型半导体的交界面两侧，多数载流子由于浓度差 将产生扩散运动（由于浓度引起的运动），如上图 电子空穴相遇将复合而消失，在交界面两侧形成了一 个由不能移动的正、负离子组成空间电荷区，也就是 PN结，又称耗尽层 平衡状态下的PN结如上图