北大微电子:模拟集成电路原理 M0SFET小信号模型(2) G D ⑦ mbbS BS B 考虑衬偏效应时的低频小信号模型 ·用于计算输出电阻、低频小信号增益
北大微电子：模拟集成电路原理 MOSFET小信号模型（2） • 考虑衬偏效应时的低频小信号模型 • 用于计算输出电阻、低频小信号增益
北大微电子:模拟集成电路原理 完整的M0SFET小信号模型 c GD G Gs ④ 9mvasro9 mbBS GB DB BS B 用于计算各节点的时间常数 找出极点
北大微电子：模拟集成电路原理 完 的整 MOSFET小信号模型 • 用于计算各节点的时间常数 • 找出极点
北大微电子:模拟集成电路原理 第三章单级放大器 共源级 共漏级 共栅级 共源共栅级
北大微电子：模拟集成电路原理 第 章三 单级放大器 • 共源级 • 共漏级 • 共栅级 • 共源共栅级
北大微电子:模拟集成电路原理 共源级 电阻负载 电流源负载 二极管接法的 MOSFET负载 ·源级负反馈
北大微电子：模拟集成电路原理 共源级 • 电阻负载 • 电流源负载 • 二极管接法的MOSFET负载 • 源级负反馈
北大微电子:模拟集成电路原理 共源 MOSFET M out V:=0 out ∵Vin=0时,Imn Rout=ro out o9n 单管增益
北大微电子：模拟集成电路原理 共源MOSFET V = V = V V out out gs in I V R V V V in = = = = | 0 1 out in out out V V I I in Q = 0时， = out o o i out R r r ∴ = 单管增益 m o out g r V = − 单管增益 m o in g V