上泽大兽 PN结的单向导电性 定义：加正向电压，简称正偏 加反向电压，简称反偏 e ·扩散>漂移 ·漂移>扩散 ·大的正向扩散电流（多子) ·很小的反向漂移电流（少子） ·低电阻→正向导通 ·高电阻→反向截止
PN结的单向导电性 结的单向导电性 定义：加正向电压，简称正偏 加反向电压，简称反偏 • 扩散 > 漂移 • 大的正向扩散电流（多子） • 低电阻 � 正向导通 • 漂移 > 扩散 • 很小的反向漂移电流（少子） • 高电阻 � 反向截止
上游哀豆大皇 陡峭→电阻小 PN结特性描述 正向导通 1、PN结的伏安特性 2、PN结方程 非线性 =1s(eb1-1) 其中 —反向饱和电流 —温度的电压当量 且在常温下（300K) = T =0.026V=26mV 4 特性平坦→反向截止 近似 正向：≈seh1% 一定的温度条件下，由本征激 发决定的少子浓度是一定的 反向：≈-S
PN结特性描述 其中 ( 1) / D S D = − VT v i I e I S ——反向饱和电流 VT ——温度的电压当量 且在常温下（T=300K） = = 0.026V q kT VT = 26 mV 1、PN结的伏安特性 2、PN结方程 特性平坦�反向截止 一定的温度条件下，由本征激 发决定的少子浓度是一定的 陡峭�电阻小 正向导通 正向： VT v i I e / D S D ≈ 反向： D S i ≈ −I 近似 非线性
上泽大警 PN结的反向击穿 当PN结的反向电压 增加到一定数值时，反 向电流突然快速增加， 此现象称为PN结的反向 击穿。 齐纳击穿 电击穿—可逆 u 雪崩击穿 热击穿—不可逆
PN结的反向击穿 当PN结的反向电压 增加到一定数值时，反 向电流突然快速增加， 此现象称为PN结的反向 击穿。 热击穿——不可逆 雪崩击穿 齐纳击穿 电击穿——可逆
上泽大兽 PN结的电容效应 (1)势垒电容C (2)扩散电容C P N 'oo ④⊕！ ④d! P N ⊕④ 19io ④④ (-● 势垒电容示意图 结电容C,=C6+C, 扩散电容示意图
PN结的电容效应 (1) 势垒电容CB 势垒电容示意图 扩散电容示意图 (2) 扩散电容CD 结电容: C j = Cb + Cd
上泽大兽 1.2半导体二极管
1.2 半导体二极管