上泽大警 1.1.2杂质半导体 ■定义：通过扩散工艺，掺入了少量合适的杂 质元素的半导体。 ■分类：N型半导体；P型半导体
1.1.2 杂质半导体 � 定义：通过扩散工艺，掺入了少量合适的杂 质元素的半导体。 � 分类：N型半导体；P型半导体
上泽充大辛 N型半导体 P型半导体 掺入五价杂质元素（如磷) 掺入三价杂质元素（如硼) 空穴 +4 由 电 空位 +5 +4 3 +4 施主 受主 原子 原子 +4 自由电子= 多子 ←它主要由杂质原子提供◆空穴 多子 空穴 少子 由热激发形成◆ 自由电子=少子
N型半导体 掺入五价杂质元素（如磷） P型半导体 掺入三价杂质元素（如硼） 自由电子 ＝ 多子 空穴 ＝ 少子 空穴 ＝ 多子 自由电子 ＝ 少子 它主要由杂质原子提供 由热激发形成
上泽大警 小节1 ·本征半导体、本征激发 复合 自由电子 空穴 *半导体导电特点1：其能力容易受温度、光照等环境因素影响 温度↑→载流子浓度↑→导电能力↑ 染质半导体厂N型半导体、施主杂质5价) P型半导体、受主杂质(3价) *半导体导电特点2：掺杂可以显著提高导电能力 ·多数载流子、少数载流子
• 本征半导体、本征激发 小节1 自由电子 空穴 N型半导体、施主杂质(5价) P型半导体、受主杂质(3价) • 多数载流子、少数载流子 •杂质半导体 复合 *半导体导电特点1：其能力容易受温度、光照等环境因素影响 温度↑→载流子浓度↑→导电能力↑ *半导体导电特点2：掺杂可以显著提高导电能力
上泽大警 1.1.3PN结 ■ PN结的形成 ■ PN结的单向导电性 ■ PN结的电流方程 ■ PN结的伏安特性 ■ PN结的电容效应
1.1.3 PN 1.1.3 PN结 � PN结的形成 � PN结的单向导电性 � PN结的电流方程 � PN结的伏安特性 � PN结的电容效应
上泽大兽 PN结的形成 载流子的运动： 扩散运动—浓度差产生的载流子移动 空穴负离子正离子自由电子 o日日百百⑧'0⑧ 漂移运动—在电场作用下，载流子的移动 6.⊙日a⑧⑧o⑧.⑧ ⊙⊙0，旦百'@⑧⑧⑧ PN结形成过程可分成4步 PN结 P区 N区 (a 1、浓度差→多子的扩散运动 耗尽层 空间电荷区 o'o ol ⊙⊙田0▣'0⑧ 0 2、扩散→空间电荷区→内电场 oo ①① ⊙⊙© ①⊙⊙'0⊙ P区 N区 3、内电场→少子的漂移运动 →阻止多子的扩散 (b) 4、扩散与漂移达到动态平衡
PN结的形成 载流子的运动： 载流子的运动： 载流子的运动： 载流子的运动： 扩散运动——浓度差产生的载流子移动 漂移运动——在电场作用下，载流子的移动 1、浓度差→多子的扩散运动 2、扩散→空间电荷区→内电场 3、内电场→少子的漂移运动 →阻止多子的扩散 4、扩散与漂移达到动态平衡 PN结 形成过程可分成4步 PN结 耗尽层