第1章半导体二极管及其应用电路 本征半导体掺入五价元素后，原来晶体中的某 些硅原子将被杂质原子代替。杂质原子最外层有5个 价电子，其中4个与硅构成共价键，多余一个电子只 受自身原子核吸引，在室温下即可成为自由电子。 自由电子 五价杂质原子称为施 主原子。 电子称为多数载流子 施主原子 空穴称为少数载流子
第1章 半导体二极管及其应用电路 本征半导体掺入 五价元素后，原来晶体中的某 些硅原子将被杂质原子代替。杂质原子最外层有 5 个 价电子，其中 4 个与硅构成共价键，多余一个电子只 受自身原子核吸引，在室温下即可成为自由电子。 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +5 +4 自由电子 施主原子 电子称为多数载流子 空穴称为少数载流子 五价杂质原子称为施 主原子
第1章半导体二极管及其应用电路 小小标。”。会。想。中中一。中 1.1.3P型半导体 在硅或锗的晶体中掺入少量的三价杂质元素，如硼、 镓、铟等，即构成P型半导体。 ®】 三价杂质原子称为受 空穴 主原子。 空穴浓度多于电子 受主 浓度，即p>n。空穴 原子 为多数载流子，电子为 少数载流子
第1章 半导体二极管及其应用电路 1.1.3 P型半导体 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 在硅或锗的晶体中掺入少量的 三价杂质元素，如硼、 镓、铟等，即构成P 型半导体。 +3 空穴浓度多于电子 浓度，即 p >> n。空穴 为多数载流子，电子为 少数载流子。 三价杂质原子称为受 主原子。 受主 原子 空穴
第1章半导体二极管及其应用电路 说明： 1.掺入杂质的浓度决定多数载流子浓度；温度决 定少数载流子的浓度。 2.杂质半导体载流子的数目要远远高于本征半导 体，因而其导电能力大大改善。 3.杂质半导体总体上保持电中性。 4.杂质半导体的表示方法如下图所示。 ⊕ (a)N型半导体 (b)P型半导体
第1章 半导体二极管及其应用电路 说明： 1. 掺入杂质的浓度决定多数载流子浓度；温度决 定少数载流子的浓度。 3. 杂质半导体总体上保持电中性。 4. 杂质半导体的表示方法如下图所示。 2. 杂质半导体载流子的数目要远远高于本征半导 体，因而其导电能力大大改善。 (a)N 型半导体 (b) P 型半导体
第1章半导体二极管及其应用电路 。中中。”。会。想。中。中一。中 1.2PN结的形成及特性 1.2.1PN结的形成 1.2.2PN结的单向导电性 1.2.3PN结的电容效应
第1章 半导体二极管及其应用电路 1.2 PN结的形成及特性 1.2.1 PN结的形成 1.2.2 PN结的单向导电性 1.2.3 PN结的电容效应
第1章半导体二极管及其应用电路 中。●●。●金●●●●●● 1.2.1PN结的形成 在一块半导体单晶上一侧掺杂成为P型半导体，另 一侧掺杂成为N型半导体，两个区域的交界处就形成了 一个特殊的薄层，称为PN结。 P PN结 ⊕ ⊕ ⊕ ⊕④ ⊕ PN结的形成
第1章 半导体二极管及其应用电路 1.2.1 PN结的形成 在一块半导体单晶上一侧掺杂成为 P 型半导体，另 一侧掺杂成为 N 型半导体，两个区域的交界处就形成了 一个特殊的薄层，称为 PN 结。 P PN结 N PN 结的形成