第1章半导体二极管及其应用电路 合 。中中源。”会。想。中。中中 硅和锗的晶体结构 四价元素的原子常常用 +4电荷的正离子和周围4个 价电子表示。 简化模型 电子器件所用的半导体具有晶体结构，因此把半导 体也称为晶体
第1章 半导体二极管及其应用电路 硅和锗的晶体结构 四价元素的原子常常用 + 4 电荷的正离子和周围 4个 价电子表示。 +4 简化模型 电子器件所用的半导体具有晶体结构，因此把半导 体也称为晶体
第1章半导体二极管及其应用电路 中●●●●e●金地●●●●●。● 完全纯净的、不含其他杂质且具有晶体结构的半导 体称为本征半导体。 ● 将硅或锗材 料提纯便形成单 价 共 电 晶体，它的原子 子 结构为共价键结 键 构。 在绝对0度（T=0K)，价电子被共价键束缚着，本征半 导体中没有可以运动的带电粒子（即载流子），它的导电能 力为0，相当于绝缘体
第1章 半导体二极管及其应用电路 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 完全纯净的、不含其他杂质且具有晶体结构的半导 体称为本征半导体。 将硅或锗材 料提纯便形成单 晶体，它的原子 结构为共价键结 构。 价 电 子 共 价 键 在绝对0度（T=0K），价电子被共价键束缚着，本征半 导体中没有可以运动的带电粒子（即载流子），它的导电能 力为0，相当于绝缘体
第1章半导体二极管及其应用电路 当温度升高或受光照 T↑ 时，将有少数价电子克服 共价键的束缚成为自由电 子，在原来的共价键中留 下一个空位—空穴。 自由电子 -4 自由电子和空穴使本 征半导体具有导电能力， 空穴 但很微弱。 空穴可看成带正电的载流子
第1章 半导体二极管及其应用电路 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 自由电子 空穴 当温度升高或受光照 时 ，将有少数价电子克服 共价键的束缚成为自由电 子，在原来的共价键中留 下一个空位——空穴。 T 自由电子和空穴使本 征半导体具有导电能力， 但很微弱。 空穴可看成带正电的载流子
第1章半导体二极管及其应用电路 合 带负电的自由电子 1.半导体中两种载流子 带正电的空穴 2.本征半导体中，自由电子和空穴总是成对出现， 称为电子-空穴对。 3.本征半导体中自由电子的浓度等于空穴的浓度。 4.由于物质的运动，自由电子和空穴不断地产生又 不断地复合。在一定的温度下，产生与复合运动会达到 平衡，载流子的浓度就一定了。 5.载流子的浓度与温度密切相关，它随着温度的升 高，基本按指数规律增加
第1章 半导体二极管及其应用电路 1. 半导体中两种载流子 带负电的自由电子 带正电的空穴 2. 本征半导体中，自由电子和空穴总是成对出现， 称为 电子 - 空穴对。 3. 本征半导体中自由电子的浓度等于空穴的浓度。 4. 由于物质的运动，自由电子和空穴不断地产生又 不断地复合。在一定的温度下，产生与复合运动会达到 平衡，载流子的浓度就一定了。 5. 载流子的浓度与温度密切相关，它随着温度的升 高，基本按指数规律增加
第1章半导体二极管及其应用电路 1.1.2N型半导体 在本征半导体中糁入某些微量的杂质，就会使半 导体的导电性能发生显著变化。 N型半导体 杂质半导体有两种 P型半导体 在硅或锗的晶体中掺入少量的五价杂质元素，如 磷、锑、砷等，即构成N型半导体（或称电子型半导 体)。 常用的五价杂质元素有磷、锑、砷等
第1章 半导体二极管及其应用电路 1.1.2 N型半导体 杂质半导体有两种 N 型半导体 P 型半导体 在硅或锗的晶体中掺入少量的 五价杂质元素，如 磷、锑、砷等，即构成 N 型半导体(或称电子型半导 体)。 常用的 五 价杂质元素有磷、锑、砷等。 在本征半导体中掺入某些微量的杂质，就会使半 导体的导电性能发生显著变化