能量损失与射程R 设注入离子的初始能量为En,从进入靶面到静止时所经过的总距离 R dE r= dx dSn(E)+Se(e) R与投影射程R和投影标准偏差AR之间关系 R R=一 bM b—E和R的缓慢变化函数 2(√M,M M>M2;b=1/3 △R 3(M1+M2
能量损失与射程R 设注入离子的初始能量为 E0 ，从进入靶面到静止时所经过的总距离 0 0 0 ( ) ( ) E n e R S E S E dE R dx 2 1 1 p R R bM M P RP M M M M R 1 2 1 2 3 2 R 与投影射程 RP 和投影标准偏差 RP之间关系 b ——E 和R 的缓慢变化函数 M1>M2 ; b=1/3
纵向分布 离子注入的实际浓度分布用高斯函数表示 x-R n(x)= exp 2△R 2△R 高斯分布只在峰值附近 与实际分布符合较好 n(r=N 2丌△R 剂量:单位面积注入的离子总数Qn=√2Nm△Rn 在(Ⅹ一Rp)=+/-△Rp处,离子浓度比其峰值降 低了40%
纵向分布 离子注入的实际浓度分布用高斯函数表示 2 1 ( ) exp 2 2 T p p p Q x R n x R R 高斯分布只在峰值附近 与实际分布符合较好 max ( ) 2 T p p Q n R N R m ax 2 剂量：单位面积注入的离子总数 QT N R p 在（X－Rp）＝＋/－ △Rp处，离子浓度比其峰值降 低了40%
离子注入到无定形靶中的高斯分布情 况 中值,均值,最频值 沟道效应 0,!?° 13.6:°如 1.Gu3 0,13° R Re +41:
离子注入到无定形靶中的高斯分布情 况
注入离子在无定形靶中的分布 Nonaligned implant 0.8 (nonchanneled) 0.6 <1oo>aligned implant (channeled) Rp 2.0 3.0 X/R
注入离子在无定形靶中的分布
注入离子在无定形靶中的分布 若是將參數Rp、亼Rp,依離子種類、靶材種類、入 射能量,先期製作成表,則可以用來快速的獲得離 子佈植後離子在靶材中的分佈 基本的LSS理論及相關的解析法,並無法處理非同平 面的表面、層狀結構的界面、含多元素的靶材、複 碰撞效應與相關的濺射與離子混合。只能提供離子 分佈的幾個能率,而非完整的離子分佈的資料。故 欲克服此一短處,只有開發精確的數值計算,來獲 得離子傳輸的所有細節
注入离子在无定形靶中的分布 若是將參數Rp、△Rp，依離子種類、靶材種類、入 射能量，先期製作成表，則可以用來快速的獲得離 子佈植後離子在靶材中的分佈。 基本的LSS理論及相關的解析法，並無法處理非同平 面的表面、層狀結構的界面、含多元素的靶材、複 碰撞效應與相關的濺射與離子混合。只能提供離子 分佈的幾個能率，而非完整的離子分佈的資料。故 欲克服此一短處，只有開發精確的數值計算，來獲 得離子傳輸的所有細節