6.32横向效应 横向效应指的 是注入离子在 垂直于入射方 向平面内的分 布情况 入射离子束 令由LSS理论计 算得到的硼、 4 磷和砷入射到 N(x) 0.1 无定形硅靶中 △R⊥与入射能量 0.5 的关系如图所 0.5 示
6.3.2横向效应 • 横向效应指的 是注入离子在 垂直于入射方 向平面内的分 布情况 v 由LSS理论计 算得到的硼、 磷和砷入射到 无定形硅靶中 ΔR┴与入射能量 的关系如图所 示
横向效应 Ion beam Mask:. -E: Mask:: 2:2:22:5 Implanted region o.5 teral distrbution
横向效应
横向分布 f(x, y, 3) (2z)32△R△Y△Z exp 2|△y2A23× △R2 88 掩膜 掩 50 keV loG key B 150 kev 200 key 103等浓度线上A 103等浓度线 入射束能 70 keV (a)70keV注入硅中 (h)以不回能量向硅注入确
横向分布 2 2 2 2 2 2 3 2 2 1 exp (2 ) 1 ( , , ) p p p R x R Z z Y y R Y Z f x y z
横向效应 杂质与硅原子碰撞所产生的散射会造成杂质 往横向注入。横向效应是指注入离子在垂 直入射方向的平面内的分布情况,会影响 MOs管的有效沟道长度。横向效应与注入 离子的种类及入射离子的能量有关
横向效应 杂质与硅原子碰撞所产生的散射会造成杂质 往横向注入。横向效应是指注入离子在垂 直入射方向的平面内的分布情况，会影响 MOS管的有效沟道长度。横向效应与注入 离子的种类及入射离子的能量有关
120 keas注入 35 keas注入 横向效应影响MOS晶体管的有效沟道长度
35 keV As注入 120 keV As注入 横向效应影响MOS晶体管的有效沟道长度