低能区 中能区 0.6 高能区 核阻止 电子阻止 0.4 0.2 2 3 22 核阻止本领和电子阻止本领曲线 (1)低能区:Sm/E占主要地位,Se(/E可忽略 (2)中能区:Sm/E和Se(E同等重要 (3)高能区:Se(E)占主要地位,Sn(E)可忽略
低能区 中能区 高能区 核阻止本领和电子阻止本领曲线 (1)低能区：Sn(E)占主要地位，Se(E)可忽略 (2)中能区：Sn(E)和Se(E)同等重要 (3)高能区：Se(E) 占主要地位， Sn(E) 可忽略
核阻止本领在低能量下起主要作用(注入分布的尾端) 电子阻止本领在高能量下起主要作用(非C用,用于核物理) Sn≡dE/dxn Depth x香 S.≡dE/dx Surface E~0 E=E Substrate incident kinetic 表面处晶格 射程终点(EOR) 损伤较小 处晶格损伤大
表面处晶格 射程终点（EOR） 损伤较小 处晶格损伤大 v 核阻止本领在低能量下起主要作用（注入分布的尾端） v 电子阻止本领在高能量下起主要作用（非IC用，用于核物理）
射程粗略估计 近似处理可认为核阻止本领和入射离子能量E 无关,不随能量变化。电子阻止本领和速 度成正比。当注入离子能量为Ec时,核阻 止本领和电子阻止本领相等。 注入离子的初始能量比Ec大很多,主要以 电子阻止形式损失能量,核阻止损失可忽 略。射程R≈k1E/2,k1近似为常数。 2.注入离子的能量E《Ec,入射离子主要以 核阻止形式损失能量,电子阻止作用可忽 略。射程R≈k2E0,k2近似为常数
射程粗略估计 近似处理可认为核阻止本领和入射离子能量E 无关，不随能量变化。电子阻止本领和速 度成正比。当注入离子能量为Ec时，核阻 止本领和电子阻止本领相等。 1. 注入离子的初始能量比Ec大很多，主要以 电子阻止形式损失能量，核阻止损失可忽 略。射程R≈k1E1/2 ， k1近似为常数。 2. 注入离子的能量E《 Ec，入射离子主要以 核阻止形式损失能量，电子阻止作用可忽 略。射程R≈k2E0，k2近似为常数
EOR damage Courtesy Ann- Chatrin Lindberg March 2002
EOR damage Courtesy Ann-Chatrin Lindberg (March 2002)
63注入离子在靶中的分布 6.3.1纵向分布 浓度(og 令注入离子在靶内 n(Rp) 高斯分布 受到的碰撞是随 机的,所以杂质 0.6n(R) ⊥AR 分布也是按几率 分布的。 离子束 离子进入非晶层 RF (穿入距离)的 △R;投影射程的标准偏差 分布接近高斯分 △R1:横向离散 布
6.3.1 纵向分布 v 注入离子在靶内 受到的碰撞是随 机的，所以杂质 分布也是按几率 分布的。 v 离子进入非晶层 （穿入距离）的 分布接近高斯分 布。 ΔRp：投影射程的标准偏差 ΔR⊥：横向离散 6.3注入离子在靶中的分布