4.1.4BJT的主要参数 2.极间反向电流 (1)集电极基极间反向饱和电流IcO 发射极开路时，集电结的反向饱和电流。 Vcc 1B=0 1北医学院生物医学工程
2. 极间反向电流 (1) 集电极基极间反向饱和电流ICBO 发射极开路时，集电结的反向饱和电流。 4.1.4 BJT的主要参数
4.1.4BJT的主要参数 2.极间反向电流 (2)集电极发射极间的反向饱和电流Ic0 ICEO=(1+B)ICBO ICEO u VCE 1北医学院生物医学工程
(2) 集电极发射极间的反向饱和电流ICEO ICEO=（1+ ）ICBO 4.1.4 BJT的主要参数 2. 极间反向电流
4.1.4BJT的主要参数 3.极限参数 ()集电极最大允许电流IcM (2)集电极最大允许功率损耗PcM PCM=ICVCE ic/mA ICM PC 过 安 损 全 耗 工 作 区 TTTTm 区 0 V(BR)CEO UCE/V
(1) 集电极最大允许电流ICM (2) 集电极最大允许功率损耗PCM PCM= ICVCE 3. 极限参数 4.1.4 BJT的主要参数
4.1.4BJT的主要参数 3.极限参数 3)反向击穿电压 ·VBR)CBO 发射极开路时的集电结反 向击穿电压。 V(BR)EBO 集电极开路时发射结的反 向击穿电压。 VBR)CEO 基极开路时集电极和发射 极间的击穿电压。 几个击穿电压有如下关系 V(BR)CBO(BRCEO(BR)EBO 北医学院生物医学工程
3. 极限参数 4.1.4 BJT的主要参数 (3) 反向击穿电压 V(BR)CBO——发射极开路时的集电结反 向击穿电压。 V(BR) EBO——集电极开路时发射结的反 向击穿电压。 V(BR)CEO——基极开路时集电极和发射 极间的击穿电压。 几个击穿电压有如下关系 V(BR)CBO＞V(BR)CEO＞V(BR) EBO
4.1.5温度对BJT参数及特性的影响 1.温度对BJT参数的影响 ()温度对IcBo的影响 温度每升高10℃，Ico约增加一倍。 (2)温度对B的影响 温度每升高1℃，B值约增大0.5%~1%。 (3)温度对反向击穿电压(BRCBO BRCEO的影响 温度升高时，'(BR)CEOT和BRCEO都会有所提高。 2.温度对BJT特性曲线的影响 ic/mA B=100μA 80 60 40 20 北属院生 0 6 10 UCE/V
4.1.5 温度对BJT参数及特性的影响 (1) 温度对ICBO的影响 温度每升高10℃，ICBO约增加一倍。 (2) 温度对 的影响 温度每升高1℃， 值约增大0.5%~1%。 (3) 温度对反向击穿电压V(BR)CBO、V(BR)CEO的影响 温度升高时，V(BR)CBO和V(BR)CEO都会有所提高。 2. 温度对BJT特性曲线的影响 1. 温度对BJT参数的影响 end