综上所述，三极管的放大作用，主要是依 靠它的发射极电流能够通过基区传输，然后到 达集电极而实现的。 实现这一传输过程的两个条件是： (1)内部条件：发射区杂质浓度远大于基 区杂质浓度，且基区很薄。 (2)外部条件：发射结正问偏置，集电结 反问偏置。 比医学院生物医学工程
综上所述，三极管的放大作用，主要是依 靠它的发射极电流能够通过基区传输，然后到 达集电极而实现的。 实现这一传输过程的两个条件是： （1）内部条件：发射区杂质浓度远大于基 区杂质浓度，且基区很薄。 （2）外部条件：发射结正向偏置，集电结 反向偏置
4.1.3BJT的V-I特性曲线 1.输入特性曲线 (以共射极放大电路为例) in-AvBe) VCE-const. (1)当©OV时，相当于发射结的正向伏安特性曲线。 (2)当c≥IV时，g=cE->0,集电结已进入反偏状态，开 始收集电子，基区复合减少，同样的E下I减小，特性曲线右移。 iB/uA UCE UBE 00.20.40.60.8 UBE/V 共射极连接 1北医学院生物医学工程
4.1.3 BJT的V-I 特性曲线 iB=f(vBE) vCE=const. (2) 当vCE≥1V时， vCB= vCE - vBE>0，集电结已进入反偏状态，开 始收集电子，基区复合减少，同样的vBE下 IB减小，特性曲线右移。 (1) 当vCE=0V时，相当于发射结的正向伏安特性曲线。 1. 输入特性曲线 （以共射极放大电路为例） 共射极连接
4.1.3BJT的VI特性曲线 2.输出特性曲线 饱和区 ic/mAl iB=100uA ic=fvcE)ig-const. 放 80uA 3 输出特性曲线的三个区域： 60μA 大 饱和区：ic明显受ce控制的区域， 404 该区域内，一般CE<0.7V(硅管)。 20uA 此时，发射结正偏，集电结正偏或反 区 偏电压很小。 9 12 UCE/V 截止区 截止区：i接近零的区域，相当=O 放大区：ic平行于yc轴的区域，曲 的曲线的下方。此时，E小于死区 线基本平行等距。此时，发射结正偏， 电压。 集电结反偏。 北医学院生物医学工程
饱和区：iC明显受vCE控制的区域， 该区域内，一般vCE＜0.7V (硅管)。 此时，发射结正偏，集电结正偏或反 偏电压很小。 iC=f(vCE) iB=const. 2. 输出特性曲线 输出特性曲线的三个区域: 截止区：iC接近零的区域，相当iB=0 的曲线的下方。此时， vBE小于死区 电压。 放大区：iC平行于vCE轴的区域，曲 线基本平行等距。此时，发射结正偏， 集电结反偏。 4.1.3 BJT的V-I 特性曲线
4.1.4BJT的主要参数 1.电流放大系数 (1)共发射极直流电流放大系数阝 阝=(Ic-IcEo)IBIc/IB VCE=const. (2)共发射极交流电流放大系数B B=△icJ△igee=-const. 01 B与的关系曲线 比医学院生物医学工程
(1) 共发射极直流电流放大系数 =（IC－ICEO）/IB≈IC / IB vCE=const. 1. 电流放大系数 4.1.4 BJT的主要参数 与iC的关系曲线 (2) 共发射极交流电流放大系数 =iC/iBvCE=const
4.1.4BJT的主要参数 1.电流放大系数 3)共基极直流电流放大系数a a=(Ic-IcBo）IE=Ic/IE (4)共基极交流电流放大系数α a=△icJ△ig const. 当IcBO和IcEo很小时，a≈ 8B, 可以不 加区分。 1北医学院生物医学工程
1. 电流放大系数 (3) 共基极直流电流放大系数 =（IC－ICBO）/IE≈IC/IE (4) 共基极交流电流放大系数α α=iC/iEvCB=const. 当ICBO和ICEO很小时， ≈、 ≈，可以不 加区分。 4.1.4 BJT的主要参数