三、三极管的特性曲线 近似计算中，Si:uE=0.7V 1、输入特性ig=f(uE)U=常数 Ge UBE =0.2V UCE =0 0.5V ≥IV UCE=0时为什么输入特性类似 于二极管的伏安特性？ 为什么Ucs增大曲线右移？ 为什么UCe增大到一定值曲线右 移就不明显了？ UeE c、e短路相当于两个PN结并联。 当UcE>0V时，集电结进入反偏状态开始收集电子，所以基 区复合减少，在同一山BE电压下，g减小。 集电结所加的反向电压已能把注入基区的绝大部分电子拉 到集电极，再增加，也不再明显地减小
三、三极管的特性曲线 1、输入特性 i B = f (uB E) UCE =常 数 uBE O iB 0 UCE = UCE = 0时为什么输入特性类似 于二极管的伏安特性？ 0.5V c、e短路相当于两个PN结并联。 为什么UCE 增大曲线右移？ 1V 为什么UCE 增大到一定值曲线右 移就不明显了？ 当UCE>0V时，集电结进入反偏状态开始收集电子，所以基 区复合减少，在同一uBE 电压下，iB 减小。 集电结所加的反向电压已能把注入基区的绝大部分电子拉 到集电极，再增加，iB也不再明显地减小。 近似计算中，Si：uBE＝0.7V Ge：uBE＝0.2V
三、三极管的特性曲线 2、! 输出特性 ie=f(lcE)B-常数 思考：为什么ucE较小时ic随uce变化 很大？为什么进入放大状态曲线几 IB=常数 乎是横轴的平行线？ 这是因为从发射区扩散到基区的的电子 数量大致是一定的。在Uc≥IV后，这些电子 的绝大部分已经被拉入集电区而形成。，以 致当继续增加时，也不再有明显增加，具 有恒流特性，且满足c≈ig。 UCE
三、三极管的特性曲线 2、输出特性 i C = f (uCE ) I B =常数 iC uCE IB = 常数 思考：为什么uCE较小时iC随uCE变化 很大？为什么进入放大状态曲线几 乎是横轴的平行线？ 这是因为从发射区扩散到基区的的电子 数量大致是一定的。在UCE≥1V后，这些电子 的绝大部分已经被拉入集电区而形成iC，以 致当继续增加时，iC也不再有明显增加，具 有恒流特性，且满足 i C i B
三、三极管的特性曲线 2、 输出特性ie=f(cE)B带数 ic (1)截止区：IB=0曲线以下 的区域。发射结反偏，集电结 100A 反偏。 80A 3 60A >IB=0;Ic≈0 40A >Uc.≈Ucc,c与e之间相当 20A 与开路。 Ig=0 LIINDDDREDNT 5 10 15 UCE 截止区
2、输出特性 三、三极管的特性曲线 iC uCE i C = f (uCE ) I B =常数 100 µA 80µA 60 µA 40 µA 20 µA IB = 0 O 5 10 15 4 3 2 1 截止区 （1）截止区：IB = 0 曲线以下 的区域。发射结反偏，集电结 反偏。 ➢IB = 0 ；IC ≈ 0 ➢UCE ≈ UCC ，c与e之间相当 与开路
三、三极管的特性曲线 2、 输出特性。=f(4c压)a常数 (2)放大区：特性曲线中，接 近水平的部分，也称线性区。发 100A 射结正偏，集电结反偏。 80uA IC=BIB UC>UB>UE 放 60A 2 大 40A 思考：是常数吗？ 区 20A Ig=0 5 10 15 UCE 截止区
2、输出特性 三、三极管的特性曲线 i C = f (uCE ) I B =常数 iC uCE 100 µA 80µA 60 µA 40 µA 20 µA IB = 0 O 5 10 15 4 3 2 1 截止区 放 大 区 （2）放大区：特性曲线中，接 近水平的部分，也称线性区。发 射结正偏，集电结反偏。 IC =βIB ，UC>UB>UE 思考：β是常数吗？
三、三极管的特性曲线 2、 输出特性ie=f(ucE)入Lh常数 (3)饱和区：特性曲线左边 100A Uce很小的区域。发射结正偏， 集电结正偏。 80A 3 饱和区 放 60A Uce=UBE时的状态称为临界饱 大 和状态，当UCE<UBE时称为过饱 40A 和状态。 区 204 Ip=0 临界饱和Is=Ics邛 LLLINILIAE☑IDNI/ 5/ 10 15 UCE 截止区
2、输出特性 三、三极管的特性曲线 i C = f (uCE ) I B =常数 iC uCE 100 µA 80µA 60 µA 40 µA 20 µA IB = 0 O 5 10 15 4 3 2 1 截止区 放 大 区 饱 和 区 （3）饱和区：特性曲线左边 UCE很小的区域。发射结正偏， 集电结正偏。 UCE=UBE时的状态称为临界饱 和状态，当UCE＜UBE时称为过饱 和状态。 临界饱和 IBS = ICS /β