5.1.2 NN沟道耗尽型MOSFET1.结构和工作原理（N沟道）ids掺杂后具有正g9离子的绝缘层二氧化硅d711+4N*N衬底0apo耗尽层N型沟道BPSB衬底引线二氧化硅绝缘层中掺有大量的正离子可以在正或负的栅源电压下工作，而且基本上无栅流HOME
5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 1. 结构和工作原理（N沟道） 二氧化硅绝缘层中掺有大量的正离子 可以在正或负的栅源电压下工作，而且基本上无栅流
5.1.2N沟道耗尽型MOSFET2.V-I特性曲线及大信号特性方程ip/mAip/mAlUDS=UGS-VP可变十饱和区+8电阻区-4V862V6UGS=OVIDss4-2V-4V22截止区VP036915UDs/V12024UGs/V-2-6-4UGS)2UGS-1)2（N沟道增强型）VpHOME
5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 2. V-I 特性曲线及大信号特性方程 2 (1 ) P GS D DSS V i I v 2 ( 1) T GS D DO V i I v （N沟道增强型）
5.1.3P沟道MOSFETd.dooBoBbDdODOdOSs(a)(b)（a）增强型电路符号（b）耗尽型电路符号HOME
5.1.3 P沟道MOSFET