今第一章华导侦器件岭 1.13PN结 在一块半导体单晶上一侧掺杂成为P型半导体,另 侧掺杂成为N型半导体,两个区域的交界处就形成了 个特殊的薄层,称为PN结 一、PN结的形成 P PN 结 eGo6⊕d 图PN结的形成
在一块半导体单晶上一侧掺杂成为 P 型半导体，另 一侧掺杂成为 N 型半导体，两个区域的交界处就形成了 一个特殊的薄层，称为 PN 结。 P PN结 N 图 PN 结的形成 一、PN 结的形成 1.1.3 PN结
今第一章华导侦器件岭 PN结中载流子的运动 1.扩散运动 电子和空穴剑A 浓度差形成多数e8d 载流子的扩散运 动 2.扩散运动 耗尽层 空电荷区 形成空间电荷区 PN结耗GO⊕e 尽层
PN 结中载流子的运动 耗尽层 P 空间电荷区 N 1. 扩散运动 2. 扩散运动 形成空间电荷区 电子 和空穴 浓 度差形 成多数 载 流子的 扩散运 动。 —— PN 结，耗 尽层。 P N （动画1-3）
今第一章华导侦器件岭 3空间电荷区产生内电场 空间电荷区正负离子之间电位差U电位壁垒; 内电场;内电场阻止多子的扩散—阻挡层。 4.漂移运动 阻挡层 内电场有利 空间电荷区 于少子运动一漂e④ 移 少子的运动 与多子运动方向:e 相反 内电场
3. 空间电荷区产生内电场 P 空间电荷区 N 内电场 Uho 空间电荷区正负离子之间电位差 Uho —— 电位壁垒； —— 内电场；内电场阻止多子的扩散—— 阻挡层。 4. 漂移运动 内电场有利 于少子运动—漂 移。 少子的运动 与多子运动方向 相反 阻挡层
今第一章华导侦器件岭 5.扩散与漂移的动态平衡 扩散运动使空间电荷区增大,扩散电流逐渐减小; 随着内电场的增强,漂移运动逐渐增加; 当扩散电流与漂移电流相等时,PN结总的电流等 于零,空间电荷区的宽度达到稳定。 即扩散运动与漂移运动达到动态平衡 对称结 不对称结9⊙⊕⊕囝⊕
5. 扩散与漂移的动态平衡 扩散运动使空间电荷区增大，扩散电流逐渐减小； 随着内电场的增强，漂移运动逐渐增加； 当扩散电流与漂移电流相等时，PN 结总的电流等 于零，空间电荷区的宽度达到稳定。 对称结 即扩散运动与漂移运动达到动态平衡。 P N 不对称结
今第一章芈导体器件 PN结的单向导电性空间电荷区变窄,有利 1PN结外加正向电压时处于(于扩散运动,电路中有 较大的正向电流。 又称正向偏置,简称正偏。 P 什么是PN结的单向 导电性? ( (有什么作用④ O i[0:0.o 内电场方向 外电场方向 R 图1.1.6
二、 PN 结的单向导电性 1. PN结 外加正向电压时处于导通状态 又称正向偏置，简称正偏。 外电场方向 内电场方向 耗尽层 V R I 空间电荷区变窄，有利 于扩散运动，电路中有 较大的正向电流。 图 1.1.6 P N 什么是PN结的单向 导电性？ 有什么作用？