今第一章华导侦器件岭 1.1.2杂质半导体 N型半导体 杂质半导体有两种 P型半导体 、N型半导体( Negative) 在硅或锗的晶体中掺入少量的5价杂质元素,如 磷、锑、砷等,即构成N型半导体(或称电子型 半导体)。 常用的5价杂质元素有磷、锑、砷等
1.1.2 杂质半导体 杂质半导体有两种 N 型半导体 P 型半导体 一、 N 型半导体(Negative) 在硅或锗的晶体中掺入少量的 5 价杂质元素，如 磷、锑、砷等，即构成 N 型半导体(或称电子型 半导体)。 常用的 5 价杂质元素有磷、锑、砷等
今第一章华导侦器件岭 本征半导体掺入5价元素后,原来晶体中的某些 硅原子将被杂质原子代替。杂质原子最外层有5个价 电子,其中4个与硅构成共价键,多余一个电子只受 自身原子核吸引,在室温下即可成为自由电子。 自由电子浓度远大于空穴的浓度,即n>>p 电子称为多数载流子(简称多子), 空穴称为少数载流子(简称少子)。 5价杂质原子称为施主原子
本征半导体掺入 5 价元素后，原来晶体中的某些 硅原子将被杂质原子代替。杂质原子最外层有 5 个价 电子，其中 4 个与硅构成共价键，多余一个电子只受 自身原子核吸引，在室温下即可成为自由电子。 自由电子浓度远大于空穴的浓度，即n >> p 。 电子称为多数载流子(简称多子)， 空穴称为少数载流子(简称少子)。 5 价杂质原子称为施主原子
今第一章华导侦器件岭 +4 +4 自由电子 (+4 (+4) 施主原 +4)··(+4) 图1.1.3N型半导体
+4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +5 +4 自由电子 施主原子 图 1.1.3 N 型半导体
今第一章华导侦器件岭 P型半导体 在硅或锗的晶体中掺入少量的3价杂质元素,如 硼、镓、铟等,即构成P型半导体。 +4 +4 3价杂质原子称为 空穴 受主原子 t+3 受主 空穴浓度多于电子 原子 浓度,即p>>n。空穴 为多数载流子,电子为 (+4 少数载流子 图114P型半导
二、 P 型半导体 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 在硅或锗的晶体中掺入少量的 3 价杂质元素，如 硼、镓、铟等，即构成 P 型半导体。 +3 空穴浓度多于电子 浓度，即 p >> n。空穴 为多数载流子，电子为 少数载流子。 3 价杂质原子称为 受主原子。 受主 原子 空穴 图 1.1.4 P 型半导体
今第一章芈导侦器件岭 说明: 1.掺入杂质的浓度决定多数载流子浓度;温度决 定少数载流子的浓度。 2.杂质半导体载流子的数目要远远高于本征半导 体,因而其导电能力大大改善。 3.杂质半导体总体上保持电中性。 4.杂质半导体的表示方法如下图所示 de|99 (a)N型半导体 (b)P型半导体 图杂质半导体的的简化表示法
说明： 1. 掺入杂质的浓度决定多数载流子浓度；温度决 定少数载流子的浓度。 3. 杂质半导体总体上保持电中性。 4. 杂质半导体的表示方法如下图所示。 2. 杂质半导体载流子的数目要远远高于本征半导 体，因而其导电能力大大改善。 (a)N 型半导体 (b) P 型半导体 图 杂质半导体的的简化表示法