磁感应强度B较大时的情况 B ++十++++十+++++++ m 202415/16 6
2024/5/16 6 磁感应强度B 较大时的情况
霍尔效应演示 机械工业出版社 http://www.cmpbook.com 当磁场垂直于薄片时，电子受到洛仑兹力的 作用，向内侧偏移，在半导体薄片c、d方向的端 面之间建立起霍尔电势。 2024/5/16
2024/5/16 7 霍尔效应演示 当磁场垂直于薄片时，电子受到洛仑兹力的 作用，向内侧偏移，在半导体薄片c、d方向的端 面之间建立起霍尔电势。 c d a b
磁场不垂直于霍尔元件时的霍尔电动势 若磁感应强度不垂直于霍尔元件，而是与其法 线成某一角度θ时，实际上作用于霍尔元件上的有效 磁感应强度是其法线方向（与薄片垂直的方向）的分 量，即Bcos0,这时的霍尔电势为 EIBcos日 结论：霍尔电势与输入电流I、磁感应强度B成正 比，且当B的方向改变时，霍尔电势的方向也随之改 变。如果所施加的磁场为交变磁场，则霍尔电势为同 频率的交变电势。 202415/16
2024/5/16 8 磁场不垂直于霍尔元件时的霍尔电动势 若磁感应强度B不垂直于霍尔元件，而是与其法 线成某一角度 时，实际上作用于霍尔元件上的有效 磁感应强度是其法线方向（与薄片垂直的方向）的分 量，即Bcos，这时的霍尔电势为 E H =KH IBcos 结论：霍尔电势与输入电流I、磁感应强度B成正 比，且当B的方向改变时，霍尔电势的方向也随之改 变。如果所施加的磁场为交变磁场，则霍尔电势为同 频率的交变电势