4.1热电阻测温传感器 表4.1.1常用的标准化铂热电阻技术特性表 R允许 分度号知 Ro R0/R。 精度等级e 最大允许的误差/℃ 的误差/ (%) B》 46.0- 1.391±0.0007 Ie ±0.05 对于I级精度 (50.00) (Pt50) 1.391±0.001 Ⅱe ±0.1 —2000℃w ±(0.15+4.5×1U t) B 100.00 1.391±0.0007 Ie ±0.05 ±(0.15+3×1U t)e (Pt100) 1.391±0.001 Ⅱe ±0.1 对于Ⅱ级精度 —2000℃岁 士(0.3+6×0t) B品心 300.00 1.391±0.001 Ⅱe ±0.1 0500℃ ±(0.3+4.5X1U t) (Pt300) 3
4.1 热电阻测温传感器
4.1热电阻测温传感器 ·3.铜热电阻 铜热电阻也是一种常用的热电阻。由于铂热电 阻价格高，通常在一些测量精度要求不高而且测量 温度较低的场合（如一50~150℃)，普遍采用铜热 电阻。其电阻温度系数较铂热电阻高。容易提纯， 价格低廉。其最主要的缺点是电阻率较小，约为铂 热电阻的1/5.8，因而铜热电阻的电阻丝细而且长， 机械强度较低，体积较大。此外铜热电阻易被氧化， 不宜在侵蚀性介质中使用
4.1 热电阻测温传感器 • 3. 铜热电阻 • 铜热电阻也是一种常用的热电阻。由于铂热电 阻价格高，通常在一些测量精度要求不高而且测量 温度较低的场合（如—50~150℃），普遍采用铜热 电阻。其电阻温度系数较铂热电阻高。容易提纯， 价格低廉。其最主要的缺点是电阻率较小，约为铂 热电阻的1/5.8，因而铜热电阻的电阻丝细而且长， 机械强度较低，体积较大。此外铜热电阻易被氧化， 不宜在侵蚀性介质中使用
4.1热电阻测温传感器 ·温度在一50~150℃范围内，铜热电阻与温度之间的关 系如下： Rt=RO(1+At+Bt2+Ct3) (4.1-7) ·式中R—温度为t时铜热电阻的电阻值 (2); ● RO— 温度为0℃时铜热电阻的电阻值（Ω）。 系数A,B,C分别为A=4.28899×10-3℃-1， B=-2.133×10-7℃-2，C=1.233×10-9℃-3
4.1 热电阻测温传感器 • 温度在—50~150℃范围内，铜热电阻与温度之间的关 系如下： • Rt=RO(1+At+Bt2+Ct3) （4.1-7） • 式中 Rt——温度为t时铜热电阻的电阻值（Ω）； • RO——温度为0℃时铜热电阻的电阻值（Ω）。 • 系数A，B，C分别为A=4.28899×10–3℃–1， B=–2.133×10–7℃–2，C=1.233×10–9℃-3
4.1热电阻测温传感器 ·4.热电阻的结构 热电阻主要由不同材料的电阻丝绕制而成。为 了避免通过交流电时产生感抗，或有交变磁场 时产生感应电动势，在绕制热电阻时要采用双 线无感绕制法。 礼 铜引出线 补偿线阻铜热电阻线线圈骨架 铜铆钉 铂热电阻线 云母支架银导线 图4.1-1铜热电阻结构示意图 图4.1-2铂热电阻示意图
4.1 热电阻测温传感器 • 4. 热电阻的结构 • 热电阻主要由不同材料的电阻丝绕制而成。为 了避免通过交流电时产生感抗，或有交变磁场 时产生感应电动势，在绕制热电阻时要采用双 线无感绕制法。 图4.1-1 铜热电阻结构示意图 图4.1-2 铂热电阻示意图
4.1热电阻测温传感器 ·4.1.2热电阻测温传感器 ·半导体热敏电阻是利用半导 10 ·体材料的电阻率随温度变化 10 CTR PTC 目10 ·的性质而制成的温度敏感元 103 ·件，半导体和金属具有完全 102 NTC 10 ·不同的导电机理。 0 40 80 120 160200240 t/℃ 图4.1-3半导体热敏电阻的温度特性曲线
4.1 热电阻测温传感器 • 4.1.2 热电阻测温传感器 • 半导体热敏电阻是利用半导 • 体材料的电阻率随温度变化 • 的性质而制成的温度敏感元 • 件，半导体和金属具有完全 • 不同的导电机理。 • 图4.1-3 半导体热敏电阻的温度特性曲线